【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种自行对准接触的方法,特别是有关于一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触的工艺方法。半导体集成电路的制作是极其复杂的过程,目的在于将特定电路所需的各种电子组件和线路,缩小制作在一小面积基底上。其中,各个组件必须藉由适当的内连导线(interconnect)来作电性连接,方得以发挥所期望的功能。一般所谓集成电路的金属化工艺(metallization),除了制作各层导线图之外,并藉助介层窗(contact/via)构造,作为组件接触区与导线之间,或是多层导线之间联系的信道。深亚微米工艺技术的发展更突显出某些特定半导体制造技术的重要性,如蚀刻平板印刷工艺(lithography process)和干式蚀刻等工艺。高精密型曝光仪器和高感光材料的发展已使光阻层上的亚微米影像可以容易地获得,再者,先进的干式蚀刻的设备与技术应用于超大规模集成电路芯片制造上亦使光阻层上的亚微米影像可以精确地描摹到被蚀刻的材料上。然而,要进一步缩小半导体芯片的尺寸除了上述先进的工艺技术的创新外,亦须研发其它特殊工艺或结构。自行对准接触工艺,因其可缩减蚀刻平板印刷工艺的步骤,并且可以缩小半导体内组件尺寸,从而缩小芯片的尺寸,它被广泛的应用在深亚微米工艺中。目前,由于集成电路的加工朝向ULSI发展,因此内部的电路密度愈来愈增加,随着集成电路的积集度日益增加,现今自行对准接触工艺尚有些技术障碍有待突破。以下将简述传统的自行对准接触工艺及其技术上的不足。首先,请参见第1A图,其显示在基底2的表面上,形成一由氧化硅衬底层4、多晶硅层6和硅化钨层8所组成的导线结构,及在导线结构上 ...
【技术保护点】
一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触工艺方法,适用于一半导体基底,该方法包括下列步骤: (a)于该半导体基底上形成一导线结构; (b)于该导线结构上形成一绝缘上盖层; (c)于该绝缘上盖层及导线结构两侧侧壁形成一导线绝缘间隔层; (d)形成一绝缘衬垫层以覆盖该导线绝缘间隔层和该导线结构表面; (e)形成一牺牲层,并定义该牺牲层以形成牺牲型填充柱及介于该牺牲型填充柱间的开口; (f)形成一不同于该绝缘衬垫层材料的绝缘层以填满该牺牲型填充柱间的开口; (g)去除该牺牲型填充柱而形成一接触窗开口; (h)经由该接触窗开口去除覆盖于该半导体基底上而介于该导线绝缘间隔层间的该绝缘衬垫层;及 (i)形成一导电层填满该接触窗开口且与该半导体基底电性连接。
【技术特征摘要】
1.一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触工艺方法,适用于一半导体基底,该方法包括下列步骤(a)于该半导体基底上形成一导线结构;(b)于该导线结构上形成一绝缘上盖层;(c)于该绝缘上盖层及导线结构两侧侧壁形成一导线绝缘间隔层;(d)形成一绝缘衬垫层以覆盖该导线绝缘间隔层和该导线结构表面;(e)形成一牺牲层,并定义该牺牲层以形成牺牲型填充柱及介于该牺牲型填充柱间的开口;(f)形成一不同于该绝缘衬垫层材料的绝缘层以填满该牺牲型填充柱间的开口;(g)去除该牺牲型填充柱而形成一接触窗开口;(h)经由该接触窗开口去除覆盖于该半导体基底上而介于该导线绝缘间隔层间的该绝缘衬垫层;及(i)形成一导电层填满该接触窗开口且与该半导体基底电性连接。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该步骤(a)中的导线结构是由氧化硅衬底层、多晶硅层和硅化钨层所组成。3.权利要求1所述的方法,其特征在于,该绝缘上盖层、该导线绝缘间隔层及该绝缘衬垫层是为二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝层或碳化硅层。4.权利要求1所述的方法,其特征在于,该步骤(f)还包括用化学机械研磨该绝缘层,使露出该牺牲型填充柱之上表面。5.权利要求1所述的方法,其特征在于,该步骤(g)中之去除该牺牲型填充柱,利用等向性干蚀刻工艺或等向性湿蚀刻工艺对该牺牲型填充柱进行回蚀刻。6.权利要求1所述的方法,其特征在于,该步骤(h)中去除覆盖于该半导体基底之上而介于该导线绝缘间隔层间的绝缘衬垫层是利用非等向性反应离子蚀刻工艺完成。7.权利要求1所述的方法,其特征在于,该步骤(i)中的导电层是为多晶硅层或钨层,并采用化学机械研磨该导电层,使露出该绝缘层,而使该导电层形成被绝缘隔离的接触插塞。8.一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触工艺方法,适用于一半导体基底,该方法包括下列步骤(a)于该半导体基底上形成一导线结构;(b)于该导线结构上形成一绝缘上盖层;(c)形成一绝缘衬垫层以覆盖该导线结构表面;(d)于覆盖该导线结构之该绝缘衬垫层两侧侧壁形成一导线绝缘间隔层;(e)形成一牺牲层,并定义该牺牲层以形成牺牲型填充柱及介于该牺牲型填充柱间的开口;(f)形成一不同于该绝缘衬垫层材料的绝缘层以填满该牺牲型填充柱间的开口;(g)去除该牺牲型填充柱而形成一接触窗开口;(h)经由该接触窗开口去除覆盖于该半导体基底之上而介于该导线绝缘间隔层间的所述的绝缘衬垫层;及(i)形成一导电层填满该接触窗开口且与该半导体基底电性连接。9.权利要求8所述的方法,其特征在于,该步骤(a)中的导线结构是由氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘豪杰,蔡泓祥,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。