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本发明提供一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触工艺方法，该方法于施行自行对准接触步骤时不会损害到其它隔离层，进而影响隔离效果使得漏电流产生，且此方法无需在反应离子蚀刻工艺中使用高氧化硅对于氮化硅选择比的蚀刻剂来达成自行对准接触过程。此外，本方...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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