一种半导体器件清洗装置，在进行用于表面的化学机械抛光工艺之后清洗半导体晶片表面。半导体晶片表面上放置滚刷以便与该表面接触。第一化学液体槽装有第一化学液体。第一排放喷嘴将第一化学液体喷射到半导体晶片表面上。第二化学液体槽装有第二化学液体。...

半导体器件制造方法包括提供半导体衬底（１）；形成第二半导体元件的第二栅电极（４）；形成第二源／漏区（５）；形成第二侧壁绝缘膜（６）；形成第一栅电极（１０）；形成第一源／漏区（１１）；和形成第一侧壁绝缘膜（１２）。半导体衬底（１）具有第一...

半导体器件制造过程中的构图方法，该方法在半导体基片上的绝缘膜上形成化学增强系抗蚀剂层，构图该化学增强系抗蚀剂层，形成开口部分，将该构图过的化学增强系抗蚀剂层作为掩模，湿法腐蚀半导体基片上的绝缘膜，构图绝缘膜。该方法在进行湿法腐蚀前，在构...

一种通过氧化衬底制造如ＭＯＳ晶体管的栅氧化物膜的很薄氧化物膜的方法，该方法可以精确且容易地控制氧化物膜的厚度为所要求的值。该方法包括通过调节所说含氧气氛中氧的分压而不改变所说衬底的氧化温度和所说衬底的氧化时间，来控制要形成的氧化物膜的厚...

在半导体器件的制造方法中，在半导体衬底上所形成的绝缘膜上形成叠层膜，叠层膜由导电层和在导电层上所形成的绝缘层构成。利用第一掩模对叠层膜实施第一腐蚀工艺，形成用于第一栅极的第一组图形和第二组图形。然后，在第一腐蚀工艺之后淀积用于基层多晶硅...

一种ＦＥＴ（场效应晶体管）具有包括Ａｌ↓［０．２］Ｇａ↓［０．８］Ａｓ栅接触层的外延晶片。通过外延生长，在栅接触层上依次形成掺杂有Ｓｉ的ＧａＡｓ栅掩埋层、掺杂有Ｓｉ的Ａｌ↓［０．２］Ｇａ↓［０．８］Ａｓ宽凹槽停止层、未掺杂的ＧａＡｓ层和...

一种固态成象器件包括：按两维矩阵设置的光电转换部分；分别与每个光电转换部分相邻设置的电荷读出部分；分别与每个光电转换部分相邻设置的电荷转移部分；和通过与开口部分分开的分开部分彼此分隔开的电荷转移电极，每个电极加倍，作为电荷读出电极，在光...

把集成电路器件配置在半导体芯片（１１）上，确定集成于半导体芯片上的电路块（１４／１５／１６／１７）之间的信号线路路径，其中为了穿过某些电路块的其它电路块（１３），从穿过期望在电路特性上相互等同的某些电路块的一个电路块（１２）的另一个导电...

本发明的互联系统包括用化学气相淀积法形成的互联膜，其中所述互联膜包括其杂质浓度不同的上层和下层。使用单个腔室由化学气相淀积法生产包括上层和下层的互联膜的方法包括：通过将所述腔室抽真空和向该腔室中通入反应气体，在凹口中淀积下层的下层形成步...

在制取半导体器件的工艺中，包括一个形成精细布线的步骤，此步骤是为了提供一个能够均匀而准确地形成一层阻隔层金属如钽的膜以防止作为布线的主要材料的金属如铜向氧化硅中扩散的工艺。阻隔层金属的氧化物是在基片之上沉积的，在基片上，通过如ＣＶＤ工艺...

本发明公开了包括存储单元和控制器的半导体存储器。在能够电写入－擦除数据的存储单元中，加于漏和阱之间的电压在电子从浮栅抽出时被降低。当电子从存储单元内的浮栅抽出时，控制器用于将－９Ｖ电压加于选中的存储单元的栅极，将６Ｖ电压加于选中的存储单...

光掩模的制造方法，将第二数据的大小乘ｘ产生第三数据。使用来自第一数据的第一连接数据和来自第三数据的第二连接数据合成第一数据和第三数据。检验合成数据中晶体管和布线的组合是否与布局设计所依据的电路匹配。改正有错误的部分。由改正的合成数据的第...

一种晶片抛光设备包括旋转支撑的抛光台、抛光垫、承载头和衬垫。抛光垫固定于抛光台上。承载头设置成与抛光台相对，并支撑成可相对于抛光台旋转和前后移动。衬垫固定于承载头的表面上，与抛光垫相对，用于协同压缩空气使晶片紧贴抛光垫。衬垫由具有封闭微...

写电路对应数据输入信号向存储单元输出写命令。解码器解码地址输入信号并向存储单元输出地址命令。计数器向解码器输出信号，对应在进行老化检测时输入的控制信号延迟解码时间。因此，计数器通过将解码时间的工作周期延迟到被传送到存储单元的来自写电路的...

形成于基片１１上并由层间绝缘膜所覆盖的下电极１２。通孔２１和２２形成于层间绝缘膜，并且电介膜１４和上电极１５按次序形成于通孔２１及其外围上，并且形成分别连接到上电极１５和通过第二通孔２２暴露出来的下电极１２的一部分上的布线层１６。一铂阻...

在表面区域上形成有在第一布线１０２的半导体衬底１０１上形成第一层间绝缘膜１０３和腐蚀中止膜１０５。构图腐蚀中止膜１０５，以便对应于形成在第一层间绝缘膜１０３上的通孔１０７的图形，和形成第二布线１０６的图形。第二层间绝缘膜１０４形成在腐蚀...

一种减少读出放大器功耗，防止错误操作并可高速工作的半导体存储器。由存储块构成，存储块包括译码器，存储单元，用于放大位线上电压变化的读出放大器，用于锁存读出放大器输出的一数据锁存器，用于将位线放电的ｎＭＯＳ晶体管，用于产生读出放大器断开信...

一种半导体光电探测器，因为与入射光高度耦合而具有高的量子效率，并且因为减小了ＰＮ结的面积而工作在较高频率下。在本发明的半导体光电探测器中，反射层被淀积在一个方形的波导的一对平行的表面上，而光吸收层则淀积在至少另一对平行的表面上，这对表面...

根据本发明，浮置栅极延伸到源区和漏区之上区域的闪速存储器，可以通过比已有技术更少数量的工序来制造。在形成的栅绝缘膜１０２和层间绝缘膜１２２之上，形成掺杂的多晶硅膜，采用公知的光刻技术和腐蚀技术进行布图，形成浮置栅极１０３。

在由堆叠在一起的裸芯片构成的半导体器件中，使用了含有直线排列的一系列例如５片单元膜的呈线性延伸形状的内置布线的绝缘膜。每个单元膜对应每个芯片。以约１８０度的角度使每个单元膜以Ｚ字形方式交替折向右边和左边，从而每个芯片被封装在每个单元膜中...