在一种用于制造具有由一ＭＯＳＦＥＴ和一硅化钨膜制成的低阻电阻元件所组成的混合电路的方法，在对将作为所述电阻元件的所述硅化钨膜进行蚀刻形成预定形状之后，执行热处理以活化所述ＭＯＳＦＥＴ的扩散层，从而把所述硅化钨膜的阻值降低为一个低阻值。

一种半导体器件及制造方法，它由在相同基片上生长执行高速运算的逻辑电路和具有高信息控制特性的ＤＲＡＭ存储单元部分实现。在逻辑电路部分生长具有高浓度杂质扩散层作为源和漏区的第一ＭＯＳ晶体管，在ＤＲＡＭ的存储单元部分生长具有相对低浓度杂质扩散...

一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成绝缘膜，并在绝缘膜上形成多个下布线；形成具有倒悬形式的第一绝缘膜，覆盖下布线和绝缘膜表面；在第一绝缘膜上形成包含有机物的涂敷绝缘膜；烘焙包含有机物的涂敷绝缘膜；对包含有机物的涂敷...

一种半导体器件及制造这种半导体器件的方法，它们不存在诸如ＭＯＳ晶体管的开关性能或栅氧化膜的长期可靠性差、在栅电极和硅基片间的漏电流增加、或栅极耐压变差的缺陷，其它由于邻近器件区的沟道外缘上的氧化硅膜的深蚀刻形成一凹陷暴露出器件区的肩区而...

通过防止在形成隐蔽布线时发生的任何磨蚀，布线设计的适应性得以提高。一个层间绝缘薄膜形成在一个硅衬底上，然后在层间绝缘薄膜中形成沟槽。此后，阻挡层被淀积在沟槽的侧表面和底表面上以及层间绝缘薄膜的整个表面上，一个铜籽晶层形成在阻挡层的整个表...

一种半导体存储器件，具有输出每个存储体的冗余取代选择信号的冗余存储选择电路ＸＲＤＮ。在刷新操作时，每个冗余译码器ＸＲＥＤ只比较由行地址信号ＸＡＤＤ表示的地址与所存储的故障存储单元的地址，而不参考包含于行地址信号ＸＡＤＤ中的存储体选择信号...

本发明涉及一种半导体器件的制造工艺，它包括：把硅烷化合物和掺杂剂注入低压化学汽相淀积反应器，以便在晶片上淀积掺杂的硅薄膜；以及在淀积结束时，注入氧化气体，以便在淀积于反应器内的硅薄膜上形成氧化物薄膜。按照本发明，能够有效地把在淀积步骤中...

本发明的半导体器件具有这样的隔离结构，在形成于硅衬底上的ｎ阱层与ｐ阱层之间形成沟槽，并用二氧化硅填充沟槽。磷用作构成ｎ阱层的ｎ型杂质，硼用作构成ｐ阱层的ｐ型杂质，并且硼的浓度分布峰值位于沟槽侧壁部分。

一外延层的初始层形成于一ｎ↑［＋］型半导体基片上，其中一基片表面的结晶面为（１００）面，并且其取向面的结晶面为｛１００｝面。然后，通过热氧化在该初始层表面上形成硅氧化膜，并且通过ＣＶＤ工艺在该硅氧化膜上形成氮化膜，然后有选择地进行干法蚀...

提供有多个存储器单元的半导体存储器，可不进行光刻工艺就形成在电容绝缘膜上形成的、且通过在其上的层间绝缘膜与配置的上层布线的连接。在半导体存储器中，通过设置在绝缘膜中的开孔与扩散区连接，在形成电容器下部电极时，还在存储器单元阵列相邻的区域...

具有沟槽结构的垂直型ＭＩＳＦＥＴ提高了抗压力特性而没有增加其导通电阻。在垂直型ＭＩＳＦＥＴ中，ｐ型基区形成得比沟槽深，直接在沟槽下面形成ｎ型半导体区。该区与ｎ型外延层相邻并且杂质浓度比ｎ型半导体衬底的高。

本发明公开了一种半导体存储器件，它含有多个子位线１２ａ和１２ｂ，多个存储单元晶体管１３ａ至１３ｈ连接于多个子位线１２ａ和１２ｂ，所述子位线被有选择地连接于一根主位线１１ａ，子、主位线由金属材料制成。

一半导体器件包括能用低耐压晶体管实现且不使用额外电荷泵的电平移动电路。该电平移动电路１０控制传输门的开／关，传输门为ｎ沟道晶体管Ｎ１。电平移动电路具有接收电压模式选择信号ＨＶＯＮ和输入信号ＩＮ的ＮＡＮＤ门１１；串联连接在ＮＡＮＤ门的输出...

一个设计数据１包含多个绘图图案３，每个绘图图案３由一个单位矩形绘图图案Ａ和一个单位矩形绘图图案Ｂ组成。当设计数据被转换为绘图数据时，设计数据１被分为多个ＳＳＦ４，每个ＳＳＦ包含的各绘图图案３被分为单位矩形图案Ａ和Ｂ。所有单位矩形图案Ａ和...

本发明的固态传感器件包括基部（１ａ）和具有底表面、接收光的接收面和侧面的固态传感芯片（３）。用第一粘结剂（７）将固态传感芯片粘到基部上。固态传感器件还包括形成在基部和固态传感芯片周围的透明固体封装（６）。这里第一粘接剂是柔性的。固态传感...

在分配给双极型晶体管的第一有源区和分配给场效应晶体管的第二有源区上制造双ＭＯＳ电路，因为高温热处理破坏了场效应晶体管的源／漏区的杂质面，在所述双极型晶体管形成后制造场效应晶体管，为隔开发射区和发射极，在淀积一厚硅氧化物层前用阻蚀层覆盖部...

在制造双极晶体管的方法中，第一绝缘层（２）、第一多晶硅层（３）、和第二绝缘层（４）依次形成在半导体衬底（１）上。然后第二绝缘层和第一多晶硅层被构图以在其中形成开口。然后，使用第二绝缘层和第一多晶硅层做掩模，过腐蚀第一绝缘层。再在整个表面...

在硅衬底１的杂质扩散层９、１０的表面上形成了一层钴膜１２和一层作为防氧气的阻挡膜的氮化钛膜１３之后，在低于４００℃的温度下进行第一热处理，形成一层Ｃｏ↓［２］Ｓｉ膜３１。利用硫酸和过氧化氢的混合溶液将该氮化钛膜和未发生反应的钴膜清除掉，...

一种生产线，其包括一个用于根据所需的清洗／干燥条件利用ＨＦ清洗液或非ＨＦ清洗液对一个晶片进行清洗并在随后对其进行干燥的集中式清洗／干燥台，及一个用于在每个加工台和该集中式清洗／干燥台之间运送晶片的运送系统。该生产线在选择晶片的清洗／干燥...

一种半导体器件，其可防止在导线插头处接触电阻增大和在导线插头附近寄生电容增大的问题。在半导体基片上形成第一介电层；在第一介电层上形成第一导电层；在第一导电层上形成第二介电层；形成第三介电层。在第三介电层上形成第四介电层；在第三介电层上形...