集成电路及其制造方法技术

在分配给双极型晶体管的第一有源区和分配给场效应晶体管的第二有源区上制造双ＭＯＳ电路，因为高温热处理破坏了场效应晶体管的源／漏区的杂质面，在所述双极型晶体管形成后制造场效应晶体管，为隔开发射区和发射极，在淀积一厚硅氧化物层前用阻蚀层覆盖部分场氧化物层，即使从第二有源区之间的场氧化物层去除厚硅氧化物层，阻蚀层防止场氧化物层接触蚀刻剂，并且场氧化物层保持原始厚度，由此不让寄生ＭＯＳ晶体管导通。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路器件，更具体地说，是一种半导体双MOS集成电路以及一种在单个半导体基片上制造半导体双MOS集成电路器件的方法。静态随机存取存储器件是一种典型的半导体集成电路器件的例子。人们已公知用于静态随机存取存储器件的各种各样的电路。一种高速静态随机存取存储器件的例子是由混合双极型晶体管和场效应晶体管而实现的。高速静态随机存取存储单元具有一个场效应晶体管，其多晶硅栅极的宽度为0.3微米的量级。这样短的沟道长度影响到相关双极型晶体管的高频性能。为了提高双极型晶体管的高频性能，制造者采用了两种方法。第一，制造者增加了在发射极下面的氧化物层的厚度，厚的氧化物层减少了寄生电容。第二，制造者减少了场效应晶体管的栅氧化物层，薄的栅氧化物层加速了场效应晶体管的开关动作。双极型晶体管和场效应晶体管由如下次序制造形成。首先，在半导体基片上生成8纳米厚的级别的薄的栅氧化物层，并且在薄的栅氧化物层上生成窄的多晶硅栅极图形。掺杂的杂质为注入半导体基片的离子，并且以与窄的多晶硅栅极自对准的方式形成源区/漏区。然后，形成100-200纳米厚的厚氧化物层，并生成双极型晶体管。即，先形成基区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在一半导体基片（３１；７３）上制造的具有集成电路的半导体集成电路器件，它包括：一在所述半导体基片（３１；７３）正面上选择性生成的用于确定第一有源区和第二有源区的场绝缘层（３４ａ／３４ｂ／３４ｃ／３４ｄ），并具有生成在所述第一有源区之 间的第一场部分以及生成在所述第二有源区之间的第二场部分；一分配给所述第一有源区的双极型晶体管（３２；７１），并形成所述集成电路的一部分；以及分配给所述第二有源区的所述集成电路的其它电路元件（３３；３３／７２），并且在所述第二有源区（ ３４ｄ）具有一导电层（５２）以便在所述第二有源区下面生成一寄生晶体管。其特征在于，所述第二场部分（３４ｄ）比...

【技术特征摘要】
JP 1998-3-2 049290/19981．一种在一半导体基片(31；73)上制造的具有集成电路的半导体集成电路器件，它包括一在所述半导体基片(31；73)正面上选择性生成的用于确定第一有源区和第二有源区的场绝缘层(34a/34b/34c/34d)，并具有生成在所述第一有源区之间的第一场部分以及生成在所述第二有源区之间的第二场部分；一分配给所述第一有源区的双极型晶体管(32；71)，并形成所述集成电路的一部分；以及分配给所述第二有源区的所述集成电路的其它电路元件(33；33/72)，并且在所述第二有源区(34d)具有一导电层(52)以便在所述第二有源区下面生成一寄生晶体管。其特征在于，所述第二场部分(34d)比所述第一场部分(34b)厚。2．如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于场效应晶体管(33)是所述其它电路元件中的一个。3．如权利要求2所述的半导体集成电路器件，其特征在于所述场效应晶体管(33)包括一形成在相连的一个所述第二有源区上的栅绝缘层(51)并且在所述栅绝缘层上的部分所述导电层(52)作为栅极，以及所述双极型晶体管(32；71)包括一形成在一个所述第一有源区中的发射区(40)，一形成在所述一个所述第一有源区至少一部分上的并且比所述栅绝缘层(51)厚的绝缘隔层(43)以及一通过形成在所述绝缘隔层(43)中的发射极接触孔(63)与所述发射区(40)固定接触的发射极(41)。4．如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于场效应晶体管(33)和电阻元件(72)是所述其它电路元件中的两个。5．如权利要求4所述的半导体集成电路器件，其特征在于所述场效应晶体管(33)包括一形成在相连的一个所述第二有源区上的栅绝缘层(51)以及在部分地在所述栅绝缘层上的作为栅极的所述导电层(52)，所述电阻元件(72)在所述第二场部分(34d)的另一部分部分地延伸，以及所述双极型晶体管(71)包括一形成在一个所述第一有源区中的发射区(40)，一形成在所述一个所述第一有源区至少一部分上的并且比所述栅绝缘层(51)厚的绝缘隔层(43)以及一通过形成在所述绝缘隔层中的发射极接触孔与所述发射区固定接触的发射极(41)。6．如权利要求5所述的半导体集成电路器件，其特征在于所述电阻元件(72)由多晶硅形成。7．一种用于制造半导体集成电路器件的方法，它包括如下步骤a)制备一具有正面的半导体基片(31/73)；b)在所述正面上选择性的生成一用于限定分配给一双极型晶体管(32；71)的第一有源区和分配给其它电路元件(33；33/72)的第二有源区的场绝缘层(34a/34b/34c/35d)；c)形成一集电极(35/37)和套在所述第一有源区中的所述集电极上的基底(38/39)；d)在所述场绝缘层(34a/34b/34c/34d)、所述第一有源区和所述第二有源区上形成第一绝缘层(62)；e)通过从发射极(41)经过一形成在所述第一绝缘层中的发射极接触孔(63)扩散形成嵌入所述基底(38/39)中的发射区(40)；f)选择性的蚀刻所述第一绝缘层(62)以便从所述第二有源区上的至少一处去除一部分所述第一绝缘层；g)在所述第二有源区完成其它电路元件，其特征在于，在所述步骤c)和所述步骤d)之间插入用阻蚀层覆盖所述第二有源区及所述第二有源区之间的一部分所述场...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山宏明，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]