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在分配给双极型晶体管的第一有源区和分配给场效应晶体管的第二有源区上制造双ＭＯＳ电路，因为高温热处理破坏了场效应晶体管的源／漏区的杂质面，在所述双极型晶体管形成后制造场效应晶体管，为隔开发射区和发射极，在淀积一厚硅氧化物层前用阻蚀层覆盖部分场...
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