产生直接绘图数据的方法以及直接绘图的方法和装置制造方法及图纸

一个设计数据１包含多个绘图图案３，每个绘图图案３由一个单位矩形绘图图案Ａ和一个单位矩形绘图图案Ｂ组成。当设计数据被转换为绘图数据时，设计数据１被分为多个ＳＳＦ４，每个ＳＳＦ包含的各绘图图案３被分为单位矩形图案Ａ和Ｂ。所有单位矩形图案Ａ和Ｂ被赋予地址信息，使得绘图按序进行，每个ＳＳＦ４包含的全部单位矩形图案Ａ和Ｂ按照地址信息的顺序排序。因此，由于有可能使粒子束的偏转量变为最小，所以有可能使由粒子束偏转精度低造成的绘图精度的恶化降至最小。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在带电粒子束直接绘图中使用的产生直接绘图数据的方法，以及用于直接绘图的方法和装置。近来，随在半导体器件制造技术中半导体器件的集成度的提高，在用于在半导体晶片上形成精细图形的刻蚀技术中的设计标准变得越来越小。因此，为了代替使用紫外线的光刻蚀技术，一种包括X射线刻蚀和带电粒子束刻蚀的下一代刻蚀技术已经发展出来。在带电粒子束刻蚀中，基于先前由设计数据转换成的绘图数据偏转一个带电粒子束，如一个电子束，从而在晶片上绘制图案。而且，在支撑晶片的支架移位后重复上一操作，从而形成器件的图案。或者，在支架移位的同时偏转粒子束从而绘制图案。其中，粒子束可被偏转的范围(该范围称为“SSF”)随绘图装置的不同而不同。但无论怎样，在SSF的边界部的偏转变形变大。而且，绘制图案是按照绘图数据中的图案发生顺序进行的。此处，具有适于某一绘图机的格式的绘图数据是通过一个相应的数据转换软件将CAD数据转换后得到的。在该数据转换中，一个图案数据被分为多个SSF。参见图5A，该图显示了一个绘图粒子束源2与从该粒子束源发射出并由一个未显示的装置偏转的粒子束之间的关系。在图5C显示的一个例子中，一个图案数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种产生用于带电粒子束直接绘图的直接绘图数据的方法，无论包含在一个设计数据中的每个绘图图案的单元结构以及包含在每个绘图图案中的单位图案的种类是怎样的，在带电粒子束可被偏转的一个范围内的绘图图案被排序以准备直接绘图数据。

【技术特征摘要】
JP 1997-12-25 357187/971.一种产生用于带电粒子束直接绘图的直接绘图数据的方法，无论包含在一个设计数据中的每个绘案的单元结构以及包含在每个绘案中的单位图案的种类是怎样的，在带电粒子束可被偏转的一个范围内的绘案被排序以准备直接绘图数据。2.根据权利要求1的产生用于带电粒子束直接绘图的直接绘图数据的方法，当所述设计数据包含的至少一个所述绘案超过了带电粒子束可被偏转的所述范围时，无论包含在一个设计数据中的每个绘案的单元结构以及包含在每个绘案中的单位图案的种类是怎样的，绘案在带电粒子束可被偏转的每个范围内排序，以使连续绘制的各绘案相互邻近。3.根据权利要求1的产生用于带电粒子束直接绘图的直接绘图数据的方法，包括以下步骤将所述设计数据包含的每个所述绘案划分为多个单位矩形绘案；由此得到的单位矩...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田泰久，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]