本发明提出在低温下制作硅基板与氧化硅膜的界面特性是良好的、低界面陷阱密度的优质的薄膜的薄膜形成方法。本发明是一种在真空容器内生成等离子体并发生活性种（原子团）、用该活性种和材料气体在硅基板上进行氧化硅膜的成膜的薄膜形成方法，在该方法中，...

本发明涉及一种布局设计仪器，含有：存储装置，用于存储由多个晶体管构成的电路的电路数据；搜索装置，用于搜索一组路径，使得通路对任何一个晶体管只通过一次且一组中路径的组合能够覆盖电路数据所表示的整个电路网络；抽选装置，用于从所述搜索装置发现...

提供了一种半导体器件安装板、其制造方法，其检查方法以及半导体封装，其中通过改进传统布线板，能够实现与缩小的间距对应的高密度和精细结构并具有高的安装可靠性。一种半导体器件安装板，其特征在于包括：布线结构膜，其包含交替层叠在其上的绝缘层和布...

本发明涉及一种元件安装结构和元件安装方法。通过充分地去除氧化膜将元件安装在载体上。一种元件安装方法，其中元件的电极熔融结合至载体的电极使得元件安装在载体上，该方法包括如下步骤：分别将元件的电极设置在载体的电极处，载体的电极中的一个电极为...

提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元...

一种生产Ⅲ族氮化物半导体衬底的工艺，特征在于该工艺包括以下步骤：　　　　在基底衬底上形成含有金属元素的膜，　　　　在含有金属元素的膜上形成其中包括空腔区的Ⅲ族氮化物半导体层以直接与其接触，以及　　　　用所述空腔区作为剥离点剥离所述基底衬...

本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由ＧａＡｓ或ＩｎＰ制成的半导体衬底（１１０）上的由化合物半导体（１１１）制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极（１１６）和第...

本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极（１１６）和第二场极板电极（１１８）的场效应晶体管（１００）中，第二场极板电极（１１８）包括屏蔽部分（１１９），其位于第一场极板电极...

本发明涉及一种光接收元件以及包含该光接收元件的光接收装置，其用在光系统中，防止倾斜入射在滤光膜上的光与光接收元件的光接收部分光耦合，该光系统中具有光接收元件，其放置在由多层电介质膜制成的滤光膜的发射面侧上。光遮蔽膜层形成在光接收元件自身...

本发明的半导体器件具有一结构，包括：用于电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的第一芯片间互连（１１０），用于预备的第二芯片间互连（１２０），用于经由第一芯片间互连从第一半导体芯片传送测试信号到第二半导体芯片的测试信号发生电路（４），用于...

多个ＬＳＩ芯片（１）堆叠在内插器（２）上。用于信号传输的信号线圈（１ｂ）形成在利用硅基板（１ａ）形成的ＬＳＩ芯片（１）的电路形成表面上。该信号线圈（１ｂ）连接到形成在ＬＳＩ芯片（１）中的电路。通孔（１ｄ）形成在硅基板（１ａ）的信号线圈（...

由于当通过烧结金属／多晶硅结构形成全面硅化的栅电极时所得硅化物的成分根据栅极长度的改变而改变使元件特性不利地波动。元件特性还由于所得硅化物成分的元件到元件的不均匀性而波动。通过首先形成具有富金属成分的完全硅化物，在其上淀积Ｓｉ层并烧结该...

公开了一种在衬底的一个表面上安装半导体芯片的半导体封装。在所述半导体封装中，在其上安装半导体芯片的那部分衬底表面中形成弯曲点形成部分，所述弯曲点形成部分由具有比所述衬底更大的热膨胀系数的材料构成。

一种光学模块，包括安装有光接收元件的电路板以及在其中形成有波导的波导板。电路板由柔性材料制成，并且对于具有由光接收元件所接收的波长的光具有透射性。电路图案部形成在电路板的一侧的表面上，并且光接收元件安装在电路图案部上。通过沉积介电多层膜...

第一半导体元件１被掩埋在第一绝缘材料２中；第二半导体元件５被第二绝缘材料６覆盖；连接电极４被掩埋在布置于第一半导体元件１的电路表面和第二半导体元件５的电路表面之间的第一绝缘材料２中；外部接线端子８布置在第一绝缘材料２的下表面上，该下表面...

在硅基板表面上将第１绝缘膜（硅氧化膜）、第２绝缘膜（铝氧化膜）按照该顺序层积，形成栅极绝缘膜，使第１绝缘膜的一部分中含有作为构成第２绝缘膜的元素的至少一种元素、且与第１绝缘膜的整个区域中共同含有的元素不同的元素（铝），在第１绝缘膜上形成...

一种半导体器件，其中半导体元件安装在由绝缘层和布线层组成的电路板的一侧上，包括：金属柱，其提供在上面安装了所述半导体元件的所述电路板的一侧上；和密封层，其提供在上面安装了所述半导体元件的所述电路板的一侧上，以便覆盖所述半导体元件以及仅暴...

本发明的半导体装置制造方法包括：利用含有Ｓｉ的第１原料气体及含有金属元素Ｍ的第２原料气体、氧化处理气体向被处理基板上提供氧化处理气体的第１工序；提供第１原料气体的第２工序；在依次实施上述工序后，提供第２原料气体或第１原料气体和第２原料气...

半导体封装是由半导体装置芯片和具有热可塑性的绝缘树脂层的可挠性基板构成的。设置在可挠性基板上的电极与上述半导体装置芯片规定的电极连接，并且由热可塑性绝缘树脂层密封，而且上述可挠性基板可弯曲，在电极形成面和其它面上设置电极。该可挠性基板中...

即使安装有半导体封装的基板曲面化，也能够缓和施加到电连接部的应力，不会产生连接不良，提高连接可靠性。半导体芯片（１０）的第二面（１０ｂ）上具有电极（１１）。支撑块（２０）设置于半导体芯片（１０）的第一面（１０ａ）的周缘部的两个位置处，并...