专利查询
首页
专利评估
登录
注册
日本电气株式会社专利技术
日本电气株式会社共有10116项专利
半导体器件及其制造方法技术
公开了一种半导体器件,包括:硅衬底,布置在硅衬底上的栅绝缘膜,布置在栅绝缘膜上的栅电极,以及形成在栅电极两侧上的衬底中的源/漏区。该半导体器件的特征在于:栅电极具有由金属M1的硅化物构成的第一硅化物层状区、和布置在该第一硅化物层状区上的...
半导体器件及其制造方法技术
在设置有定位标记的支撑基板上定位透明基板,并提供剥离材料。然后,定位半导体元件使得电极端子面朝上,且之后去除支撑基板。在剥离材料上形成绝缘树脂以覆盖半导体元件;且之后形成通孔、布线层、绝缘层、外部端子和阻焊剂。然后,通过使用剥离材料,从...
半导体器件制造技术
通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障,提供了一种电特性优异的器件。此外,改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中,使用MOS晶体管的电...
场效应晶体管制造技术
一种半导体器件(100),具有:未掺杂GaN沟道层(105)、与未掺杂GaN沟道层(105)接触的AlGaN电子施主层(106)、提供在AlGaN电子施主层(106)上的未掺杂GaN层(107)、提供在未掺杂GaN层(107)上并彼此间...
半导体搭载用布线基板、其制造方法及布线基板组件技术
半导体搭载用布线基板(5),至少具有:绝缘膜(1);在绝缘膜(1)中形成的布线(2);多个电极凸台(4),这些电极凸台(4)在绝缘膜(1)的正反两面中露出表面地设置,而且其侧面的至少一部分被绝缘膜(1)埋设;以及连接布线(2)与电极凸台...
半导体器件及其制造工艺制造技术
本发明提供一种通过采用具有均匀组分的栅电极可以防止功函数偏移和由于V↓[th]的有效控制呈现良好工作特性的半导体器件。该半导体器件的特征在于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、包括具有高介电系数的含Hf-的绝缘膜的栅绝缘膜、包括硅化物区...
半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种通路的位置精度高,高成品率,可靠性出色的半导体芯片内置于绝缘层等中的半导体装置及其制造方法。其具有:其上形成了外部连接用焊盘(23)和通路形成用的定位记号(22)的半导体芯片(20);具有多个通路(14)的以非感光性树脂为...
电子装置封装体、模块以及电子装置制造方法及图纸
提供一种半导体封装体或类似装置,所述半导体封装体有利于抑制半导体装置的制造成本,并适用于改进用于增强接地线和/或电源线的半导体封装体的可靠性。半导体封装体(50)设置有:半导体装置(1),其中外电极形成于电路平面上;形成其中布置半导体装...
半导体器件及其制造方法技术
提供一种陷阱存储器器件,该陷阱存储器器件能够抑制由于缺陷而引起的电荷从外侧流入电荷累积层和累积电荷扩散到外侧或流出。在硅衬底(1)上穿过包括第一栅极绝缘膜(3)、电荷累积层(4)和第二栅极绝缘膜(5)的层积绝缘膜形成栅极导体(6)。该层...
白炽灯制造技术
通过在白炽灯中增加余辉功能,使得在使用白炽灯的地方,在灯熄灭或电源被切断之后能够帮助人们在黑暗中分辨附近的物体。提出了其中玻璃球的内表面涂有磷光磷光体的白炽灯。对于磷光磷光体,可使用的磷光磷光体包括以下两种:包含通式MAl↓[2]O↓[...
分离装置、分离方法和质谱分析系统制造方法及图纸
一种分离装置,包括:通道,包含有被分离成分的样本移动通过该通道;置于所述通道中的一个、或两个、或更多个止回阀,用于抑制所述被分离成分的回流;由所述止回阀隔开的多个隔间;以及外力施加单元,用于将外力施加到所述被 ...
彩色等离子显示板制造技术
在一个AC型等离子显示板中,其中在显示表面上的它的基底上形成有一个放电电极和一个介电材料层,它具有一种与介电材料层相接触地或在介电材料层中形成一个包含作为其主要成分的细无机颜料颗粒的薄滤色膜层的结构。通过安排使滤色膜层具有0.5至5微米...
荧光灯制造技术
一种荧光灯,在玻璃壳的内表面叠设由一种或多种荧光物质组成的第一和第二荧光涂层。在玻璃壳面上的第一荧光涂层是由具有长余辉特性的荧光物质构成,且其使用量为0.2mg/cm↑[2],第二荧光涂层是由卤代磷酸盐荧光物质或稀土荧光物质构成。具有长...
电子束曝光系统及其使用方法技术方案
一种电子束曝光系统及其使用方法,它能用一简单方法将在晶片表面(105)上测到的EB电流(101)控制在固定值内,而无需制备各种尺寸的电子束或改变电子束源的发射电流,该系统包含一个束调节过滤器(103),它有多个电子束吸收膜片,要被定位在...
金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法技术
一种MIM/MIS电子源包括第一导电层101,形成在第一导电层101上的绝缘层103,和形成在绝缘层103上的第二导电层104,在第一和第二导电层101、104之间施加电压,使得在绝缘层103中产生沟道电流,其中绝缘层103的膜厚度和第...
阴极结构及使用该结构的电子管制造技术
阴极结构31包括圆柱形套管37和由镍粉、电子发射剂粉末,和稀土金属氧化物粉末的烧结材料制成的阴极芯块41。阴极芯块被装入并固定在套管的一端。在所述阴极结构中,套管一端密封且在其密封端面处包括凹槽部分39,其中凹槽部分的直径大于阴极芯块的...
能避免荫罩不良振动的荫罩结构制造技术
本发明的荫罩结构包括荫罩架和荫罩。荫罩架具有框板和一对长侧壁。框板具有由一对长板边和一对短板边限定的矩形圈边的形状。长侧壁从长板边垂直立起。荫罩具有由一对长罩边和一对短罩边所限定的矩形的形状。荫罩跨在长侧壁的端部之间,并被张紧,其主要表...
用于阴极射线管的具有高电流密度和长寿命的阴极制造技术
一种具有高电流密度和长寿命并且能够没有阴极块温度的扩散性的可大批量地生产的阴极射线管阴极。该阴极包括从通过热等静压烧结至少包括镍粉末和电子发射剂粉末的混合物获得的烧结体形成的阴极块。阴极也包括其上附着阴极块的阴极块支撑构件。根据本发明,...
冷阴极管和使用冷阴极管的电子仪器制造技术
一种冷阴极管,包括: 固定在玻璃管的各末端的电极;和 密封在所述玻璃管中的稀有气体或稀有气体及汞蒸汽; 其中至少电极的表面由氮化物构成,所述氮化物至少由钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铌(Nb)及钽(Ta)之一组成。
消除了外部电极漏光的外部电极型放电灯制造技术
本发明的外部电极型放电灯具有形成密闭的中空空间的透光性及电绝缘性的外围器。在外围器的内部密封了放电介质。在外围器的外表面设有用于在放电介质中引起介质阻挡放电的外部电极。外部电极由导电材料的板构成,通过设置在外围器的外表面整个圆周方向上的...
首页
<<
451
452
453
454
455
456
457
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133944
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81098
三星电子株式会社
68155
中兴通讯股份有限公司
67282
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51642
最新更新发明人
江苏国信泗阳太阳能发电有限公司
2
蚌埠壹石通聚合物复合材料有限公司
30
强芯科技南通有限公司
71
重庆邮电大学
14121
南京钢铁股份有限公司
4931
湖南安盛坤科技有限公司
4
河南科技学院
2750
中国船舶集团有限公司第七一八研究所
207
中国电子科技集团公司第五十四研究所
4896
东风越野车有限公司
979