半导体器件及其制造方法技术

在本发明专利技术中，提供一种制造半导体器件及其制造方法，其中在位于半导体衬底上的层间膜中，形成具有由ＣＶＤ膜构成的侧壁的接触孔，该孔填有导电材料，由此形成同半导体衬底表面的接触。其步骤：在该层间膜中设置开口部分，而不暴露半导体衬底的表面；在包括该开口部分的内表面的区域上形成ＣＶＤ膜；用深腐蚀去除在该开口部分底部的ＣＶＤ膜，随之去除在开口部分下的层间膜，以便露出半导体衬底的表面；用导电材料填充该开口部分。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别涉及具有微小接触的。近年来，随着半导体器件的小型化，在半导体衬底上的扩散层区也被小型化。这本身也导致实现这种微小扩散层与电极之间电连接的接触的进一步小型化。在现有技术中，制备通过形成于半导体衬底上的层间膜的接触孔，使其到达扩散层，然后用导电材料填充该接触孔，于是形成接触。可是，由于接触孔被小型化，精确地构图变得非常困难，当其内径为1μm或更小时精确地构图尤其困难。由于该原因，在通常所使用的方法中，首先形成比预定尺寸大的接触孔，随后用CVD(化学汽相淀积)法，用诸如二氧化硅之类的绝缘材料围绕其内壁来形成侧壁，并由此使接触孔小型化。下面，参照图7和图8，以形成DRAM(动态随机存取存储器)存储器单元部分中的叠层电容器为例进一步说明常规方法。首先，如图7(a)所示，在半导体衬底1上的预定区域中形成由二氧化硅膜构成的元件隔离区2，并用热氧化法等形成栅氧化膜(图中未示出)。然后，在整个表面上涂敷掺杂的多晶硅膜，通过构图形成栅电极3。接着，如图7(b)所示，用离子注入法形成扩散层4，然后在整个表面上形成由BPSG(硼磷硅玻璃)膜等构成的第一层间膜5。然后如图7(c)所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，其中在位于半导体衬底上的层间膜中，形成具有由ＣＶＤ膜构成的侧壁的接触孔，且所述接触孔填有导电材料，并由此形成同所述半导体衬底表面的接触；该方法包括下列步骤：通过各向异性腐蚀在所述层间膜中设置开口部分，而不暴露所 述半导体衬底的表面；在包括所述开口部分的内表面的区域上形成ＣＶＤ膜；用深腐蚀去除在所述开口部分的底部的ＣＶＤ膜，随之去除在开口部分下的层间膜，以便露出半导体衬底的表面；以及用导电材料填充所述开口部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1998-7-13 197753/981.一种制造半导体器件的方法，其中在位于半导体衬底上的层间膜中，形成具有由CVD膜构成的侧壁的接触孔，且所述接触孔填有导电材料，并由此形成同所述半导体衬底表面的接触；该方法包括下列步骤通过各向异性腐蚀在所述层间膜中设置开口部分，而不暴露所述半导体衬底的表面；在包括所述开口部分的内表面的区域上形成CVD膜；用深腐蚀去除在所述开口部分的底部的CVD膜，随之去除在开口部分下的层间膜，以便露出半导体衬底的表面；以及用导电材料填充所述开口部分。2.一种制造半导体器件的方法，其中在位于半导体衬底上的层间膜中，形成具有由CVD膜构成的侧壁的接触孔，且所述接触孔填有导电材料，并由此形成同所述半导体衬底表面的接触；该方法包括下列步骤形成栅氧化膜和栅电极，然后在所述半导体衬底上形成衬底保护膜，接着在其上形成所述层间膜；通过各向异性腐蚀在所述层间膜中设置开口部分，以露出所述衬底保护膜的表面；在包括所述开口部分的内表面的区域上形成CVD膜；用深腐蚀去除在所述开口部分的底部的CVD膜，随之去除在开口部分下的衬底保护膜，以便露出半导体衬底的表面；以及用导电材料填充所述开口部分。3.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其特征在于所述衬底保护膜是NSG膜，所述层间膜是BPSG膜。4.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其特征在于所述衬底保护膜是腐蚀停止膜。5.一种制造半导体器件的方法，其中在位于半导体衬底上的层间膜中，形成具有由CVD膜构成的侧壁的接触孔，且所述接触孔填有导电材料，并由此形成同所述半导体衬底表面的接触；该方法包括下列步骤通过各向异性腐蚀在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：新宅秀臣，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]