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在本发明中，提供一种制造半导体器件及其制造方法，其中在位于半导体衬底上的层间膜中，形成具有由ＣＶＤ膜构成的侧壁的接触孔，该孔填有导电材料，由此形成同半导体衬底表面的接触。其步骤：在该层间膜中设置开口部分，而不暴露半导体衬底的表面；在包括该开...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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