半导体存储器制造技术

在半导体存储器中，用金属布线连接存储器单元阵列１０８和在该存储器单元阵列附近的ＧＮＤ选择器电路１０７，ＧＮＤ选择器电路１０７相对于一条金属布线连接一个晶体管，ＧＮＤ选择器电路内的用于ＧＮＤ选择的晶体管与用于预充电选择的晶体管共用，并且用数字线连接存储器单元阵列１０８和配置在该存储器单元阵列附近的Ｙ选择器电路１１０，Ｙ选择器电路１１０相对于一条数字线连接一个用于数位选择的晶体管，该数位选择晶体管与用于预充电选择的晶体管共用。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体存储器，特别涉及使用平面型存储器单元的半导体存储器的存储器单元的选择以及总线预充电方法。图1是使用以往的平面型存储器单元的半导体存储器的存储器单元阵列及其周边电路的电路图。该电路由如图所示的存储器单元阵列108、读出放大器111(在后面的图中示出方框图)、Y选择器电路110、GND选择器电路107、预充电电路105和112(在后面的图中示出方框图)、以及预充电选择器电路106和109构成。下面，简单地说明以往的存储器单元选择时的动作，首先选择字线、存储体(bank)选择线，接着由Y选择器电路110选择数字线DG0，由GND选择器电路107选择GND线VG0。用电流路径IL1表示从此时的读出放大器111流向GND线GND的电流。在该时刻决定被选择的存储器单元C0，但在该选择存储器单元C0为OFFbit(不流过电流的存储器单元)的情况下，电流不从读出放大器111流向GND线GND。但是，在与存储器单元C0相邻的存储器单元C1、C2、C3、…、Cn为ONbit(流过电流的存储器单元)的情况下，如图所示，电流流向电流路径IL2的方向，妨碍读出放大器111的动作。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，该半导体存储器包括使用平面型存储器单元的存储器单元阵列，与所述存储器单元阵列连接的读出放大器，配置在所述存储器单元阵列附近并与所述存储器单元阵列连接的ＧＮＤ选择器电路，预充电电路，和与所述ＧＮＤ选择器电路和所述预充电电路连接的预充电选择器电路，其特征在于，用金属布线连接所述存储器单元阵列和所述ＧＮＤ选择器电路，作为各个所述ＧＮＤ选择器电路的选择器，相对于所述金属布线的一条金属线连接一个晶体管，所述ＧＮＤ选择器电路的用于ＧＮＤ选择的所述晶体管与所述预充电选择器电路的用于预充电选择的晶体管共用。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1998-7-13 197106/981.一种半导体存储器，该半导体存储器包括使用平面型存储器单元的存储器单元阵列，与所述存储器单元阵列连接的读出放大器，配置在所述存储器单元阵列附近并与所述存储器单元阵列连接的GND选择器电路，预充电电路，和与所述GND选择器电路和所述预充电电路连接的预充电选择器电路，其特征在于，用金属布线连接所述存储器单元阵列和所述GND选择器电路，作为各个所述GND选择器电路的选择器，相对于所述金属布线的一条金属线连接一个晶体管，所述GND选择器电路的用于GND选择的所述晶体管与所述预充电选择器电路的用于预充电选择的晶体管共用。2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，还包括连接所述存储器单元阵列和所述GND选择器电路的存储体选择线。3.一种半导体存储器，该半导体存储器包括使用平面型存储器单元的存储器单元阵列，读出放大器，与所述读出放大器连接的Y选择器电路，预充电电路和预充电选择器电路，其特征在于，把所述存储器单元阵列和所述Y选择器电路连接在数字线上，作为各个所述Y选择器电路的选择器，相对于所述数字线的一条数字线连接一个晶体管，所述Y选择器电路的用于数字线选择的所述晶体管与所述预充电选择器电路的用于预充电线选择的晶体管共用...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木和辉，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]