【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有晶体管标识电路的半导体器件的测试方法，其在性能测试中确定了晶片上的半导体芯片为次品时，能够标识出由闭锁识别出的损坏，从而使次品能够被观测识别出来。本专利技术还涉及一种具有标识晶体管电路的半导体器件。当对晶片进行性能测试时，必须要对已确定的次品芯片作出标记。通常是采用机械的方法对次品芯片作标记的，例如在测试探头上装上涂墨器。这样做的缺点是有可能把相邻的芯片也误作了标记。由此就提出了在大规模集成电路上用特别电路的方法而不是用机械的方法来作标记。附图说明图1是一个半导体芯片的典型的平面草图，其为在日本公开特许61-64137所述的一种用于标识半导体器件的方法。这个半导体芯片34由一个用于标识的接点31，地接点32，和标识电路33组成。标识电路33由易熔材料构成(如铝)，其一端与标识接点31相连，而另一端与地接点32相连。对于传统的半导体器件，当对晶片进行性能测试并确定了次品芯片的时候，通过供给标识接点31高电压和大电流，使标识电路33熔断。这样，熔断的位置就会被观察到从而使次品芯片被检出。在日本公开特许63-102332中也公开了一种确认次品芯...
【技术保护点】
一种测试半导体器件的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：设置一个具有标识晶体管电路的半导体芯片；对半导体芯片进行性能测试以确定该芯片是否为次品；当确定为次品芯片时，输入一个使所述的标识晶体管电路产生闭锁的信号并且使该标识的晶体管 损坏，从而使该标识的晶体管被观测识别出来。
【技术特征摘要】
JP 1998-1-14 006110/981.一种测试半导体器件的方法，其特征在于该方法包括如下步骤设置一个具有标识晶体管电路的半导体芯片；对半导体芯片进行性能测试以确定该芯片是否为次品；当确定为次品芯片时，输入一个使所述的标识晶体管电路产生闭锁的信号并且使该标识的晶体管损坏，从而使该标识的晶体管被观测识别出来。2.根据权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征还在于所述的标识晶体管电路为CMOS晶体管电路，并具有一个用于输入引起闭锁信号的测试信号端子。3.根据权利要求2所述的半导体器件的测试方法，其特征还在于所述的标识晶体管电路包括串联连接在电源接点和地接点之间的一个P-型MOS晶体管和一个N-型MOS晶体管；输入与测试信号端相连的一个第一反相器，其输出端与N-型MOS晶体管的漏极相连；输...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。