用于半导体处理的原位测量方法及装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的原位测量工艺参数的测量器件包括其上形成有至少一个处理芯片的半导体晶片。处理芯片还包括至少一个测量工艺参数的传感器。还包括在至少一个传感器测量到工艺参数时存储工艺参数的存储器件。提供与时间成函数关系跟踪工艺参数的定时器件，还包括为至少一个传感器、存储器件以及定时器件供电的电源。此外，还介绍了用测量器件进行测量的方法。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体的制造，特别涉及原位参数的测量和控制以提高成品率的改进方法及装置。半导体工艺包括保持可控的环境进行各种制造步骤。半导体晶片通常放置在处理室内并暴露到各种温度和压力条件。在制造期间，这些参数的控制影响芯片的成品率。晶片上的温度差导致处理不均匀并导致成品率降低。通常使用温度点(dot)或热电耦在晶片上测量温度。温度点固定在晶片上，粗略地估计晶片上的温度分布。温度点通常不测量晶片表面的温度。此外，温度点的准确度仅为±5℃。要有效地使用温度点，通常需要进行多次实验以得到定时确定的温度测量。即使这样，仍不能确定整个晶片上的温度。达到最大温度并由温度点记录，但不能得到确定最大温度时的精确时间。热电耦必须安装在晶片上，存在和温度点相同的不足。“奇异(charm)”晶片可以从Wafer Charging Monitors，Inc买到。“奇异(charm)”晶片仅能测量峰值温度，由于工艺处理期间可能在不同的时间产生峰值，由此不能实时地提供信息。因此，需要一种能够准确和可靠地确定晶片温度的装置和方法。还需要一种确定不同的处理室和/或卡盘结构温度的装置和方法。根据本专利技术的原位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原位测量工艺参数的测量器件，包括： 其上形成有至少一个处理芯片的半导体晶片； 处理芯片还包括： 至少一个测量工艺参数的传感器； 当至少一个传感器测量到工艺参数时，存储工艺参数的存储器件； 跟踪与时间成函数关系的工艺参数的定时器件；以及 为至少一个传感器、存储器件以及定时器件供电的电源。

【技术特征摘要】
US 1998-11-16 09/1926981.一种原位测量工艺参数的测量器件，包括其上形成有至少一个处理芯片的半导体晶片；处理芯片还包括至少一个测量工艺参数的传感器；当至少一个传感器测量到工艺参数时，存储工艺参数的存储器件；跟踪与时间成函数关系的工艺参数的定时器件；以及为至少一个传感器、存储器件以及定时器件供电的电源。2.根据权利要求1的测量器件，其中所述至少一个传感器包括分布在半导体晶片上的多个传感器。3.根据权利要求1的测量器件，其中所述至少一个传感器包括定位在半导体晶片上预定位置的多个传感器。4.根据权利要求1的测量器件，其中工艺参数包括温度。5.根据权利要求1的测量器件，其中工艺参数包括辐射、电压和电流中的至少一个。6.根据权利要求1的测量器件，其中存储器件包括电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。7.根据权利要求1的测量器件，其中至少一个传感器包括p-n结器件。8.根据权利要求1的测量器件，其中电源由外部光源供电。9.根据权利要求1的测量器件，其中测量器件还包括控制器件功能的处理器。10.一种原位测量工艺参数的测量器件，包括其上形成有至少一个处理芯片的半导体晶片；处理芯片还包括测量工艺参数的传感器；在传感器测量到工艺参数时存储工艺参数数据的存储器件；跟踪与时间成函数关系的工艺参数的定时器件；以及为至少一个传感器、存储器件以及定时器件供电的电源；半导体晶片包括安...

【专利技术属性】
技术研发人员：B弗利特纳，KP穆勒，
申请(专利权)人：西门子公司，国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]