薄膜器件的剥离方法技术

在基板（１００）预先设置分离层（１２０），在该基板上形成ＴＦＴ等的薄膜器件（１４０）。在该薄膜器件（１４０）的形成过程中，对分离层（１２０）注入促进剥离用离子、例如氢离子。在薄膜器件（１４０）的形成后，最好在通过粘接层（１６０）将薄膜器件（１４０）接合到转移体（１８０）后，从基板一侧照射激光。由此，在分离层（１２０）中利用促进剥离用离子的作用，使剥离发生。使该薄膜器件（１４０）从基板（１００）脱离。由此，可将所希望的薄膜器件转移到任一种基板上。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜器件的剥离方法、薄膜器件的转移方法、薄膜器件、有源矩阵基板和液晶显示装置。
技术介绍
例如在制造使用了薄膜晶体管(TFT)的液晶显示器时，经过利用CVD法等在基板上形成薄膜晶体管的工序。由于在基板上形成薄膜晶体管的工序伴随高温处理，故必须使用在耐热性方面良好的材料、即软化点和熔点高的材料的基板。因此，现在作为能耐受约1000℃的温度的基板，使用了石英玻璃，作为能耐受500℃左右的温度的基板，使用了耐热玻璃。如上所述，安装薄膜器件的基板必须满足制造这些薄膜器件用的条件。即，所使用的基板的确定必须满足被安装的器件的制造条件。但是，如果只着眼于安装了TFT等薄膜器件的基板完成后的阶段，则上述的「基板」不一定是理想的。例如，如上所述，在经过伴随高温处理的制造工艺的情况下，虽然使用石英基板或耐热玻璃基板等，但这些基板是非常贵的，因而，导致制品价格的上升。此外，玻璃基板具有较重、容易断裂的性质。在掌上型计算机及携带电话机等的携带用的电子装置中使用的液晶显示器中，希望尽可能价廉、重量轻、能多少耐受变形、而且即使落下也难以损坏的装置，但现实的情况是，一般来说，玻璃基板重量较重、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜器件的剥离方法，具有：在基板上形成分离层的第１工序；在上述分离层上形成薄膜器件的第２工序；以及在上述分离层的层内和／或界面上使剥离现象发生，使上述基板从上述分离层剥离下来的第３工序，其特征在于： 在上述第３工序之前，设置了对上述分离层注入离子的离子注入工序。

【技术特征摘要】
JP 1998-10-2 296216/98;JP 1998-2-25 60594/981.一种薄膜器件的剥离方法，具有在基板上形成分离层的第1工序；在上述分离层上形成薄膜器件的第2工序；以及在上述分离层的层内和/或界面上使剥离现象发生，使上述基板从上述分离层剥离下来的第3工序，其特征在于在上述第3工序之前，设置了对上述分离层注入离子的离子注入工序。2.如权利要求1中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于在上述第3工序中包括使注入到上述分离层中的上述离子气体化的工序。3.如权利要求2中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于上述第3工序包括对上述分离层进行光照射的工序。4.如权利要求1中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于在上述离子注入工序中，利用上述离子切断构成上述分离层的原子或分子的键，预先在上述分离层中造成损伤。5.如权利要求1中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于在上述离子注入工序中，利用上述离子使上述分离层的特性变化，预先削弱上述分离层与上述基板的密接性。6.如权利要求1中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于上述第2工序包括形成薄膜晶体管用的薄膜晶体管形成工序，上述薄膜晶体管形成工序包括沟道层形成工序，上述离子注入工序在上述沟道层形成工序之后被实施。7.如权利要求6中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于上述薄膜晶体管形成工序在上述沟道层形成工序后包括沟道图形形成工序，上述离子注入工序在上述沟道图形形成工序之后被实施。8.如权利要求6或7中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于在上述沟道层中的成为沟道区的区域上形成了掩模，来实施上述离子注入工序。9.如权利要求7中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于上述薄膜晶体管形成工序包括在上述沟道图形形成工序后在该沟道图形上形成栅绝缘膜的工序和在该栅绝缘膜上的与上述沟道区相对的区域中形成栅电极的工序，以上述栅电极为掩模来实施上述离子注入工序。10.如权利要求8中所述的薄膜器件的剥离方法，其特征在于在上述离子注入工序中，同时注入要注入到上述沟道图形内的源区和漏区的至少一方中的杂质离子和比该杂质离子质量轻的要注入到上述分离层中的上述离子。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：井上聪，下田达也，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]