估算元件数、元件面积、元件间布线区、及最小必需电源布线层区，根据估算结果确定芯片面积和芯片区。在芯片区上设置元件，并形成连接元件的布线，此后，确定连接到各元件且相对设置成在芯片厚度方向上彼此隔开的电源布线层和接地布线层的形状。将电源布线...

一种由在绝缘层上直接延伸并接触的源／漏极区和通道区所构成的半导体薄膜结构。该源／漏极区内至少一处的构成是半导体层和在其上面直接延伸并接触的难熔金属硅化物层。该难熔金属硅化物层的第一厚度与通道区域的厚度之半相等或略厚一点以抑制发生纽结效应...

一个具高可靠性的封装式半导体装置，能够解决装有众多管脚引发的问题，且还能将其内部的气态高压潮气释放到外面来，它包括一个围绕在半导体芯片周围的增强环，该芯片在其绝缘衬底上有一个突起式电极；填充半导体芯片和绝缘衬底之间空隙的树脂；安放在半导...

将第二氧化膜１０５的膜厚设定为大于第一栅氧化膜１０３的膜厚，使得在相同电压施加在两个电极上时，各电极下面的沟道电势为±０．２Ｖ或更小。所述第二栅氧化膜１０５是利用ＣＶＤ方法等形成的。

提供一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在硅衬底（１）上形成绝缘膜（２）和导电膜（３）；在绝缘膜（２）中形成第一开口（２ａ），并在导电膜（３）中形成第二开口（３ａ），第二开口（３ａ）的长度小于第一开口（２ａ），从而在导电膜（３）下面...

一种第二导电型的晶体管为ＬＭＯＳ结构，和第一导电型的晶体管为ＬＤＭＯＳ结构。第一导电型的晶体管具有漏极基层，其以与漏极偏置扩散层相同的方式作用，并且形成在与源极基础扩散层分离的衬底上。第一导电型的晶体管与第二导电型晶体管同样地具有稳定而...

一个半导体器件具有一个器件隔离氧化膜，一个层间绝缘膜，几个氢气隔离膜，一个下部电极，一个电容器件绝缘膜，一个上部电极，一个层间绝缘膜和一个连线层，形成在硅基片上。一个栅极形成在硅基片上杂质扩散区之间的栅极氧化膜上。而且，一个电容器部件，...

一种光掩膜上带有多个在用于所述半导体器件的各图形部分相对的位置处通过特定光束的主孔，所通过的光束照到由多个图形部分构成的部位，该光掩膜还包括至少一个具有比所述各主孔小的副孔，每个副孔位于所述主孔之间并在其中通过一定的光，所通过的光在曝光...

一种制造多电平掩模ＲＯＭ的方法，包括以下步骤：形成多个存储单元晶体管，淀积覆盖存储单元晶体管的介质膜并使之平面化，在选择的存储单元晶体管的区域的介质膜内形成开口，以及通过选择的存储单元晶体管的开口和栅电极将杂质离子注入到它的沟道区内，得...

在一块半导体基片上形成第一绝缘膜。然后在该第一绝缘膜上形成第一光刻胶。在该第一光刻胶中形成接触孔的图案。然后，以该第一光刻胶为掩膜，对第一绝缘膜进行蚀刻，从而形成接触孔。然后除去该第一光刻胶，并在整个表面上形成有机绝缘膜。另外，在该有机...

一种半导体集成电路，能够稳定基片电势，并在启动电源工作时抑制异常电流的产生。其中把一个阱分为四个Ｐ阱并对这些Ｐ阱分别提供反馈偏压发生器（ＢＢＧ）。

对于每个网点，利用总的杂质浓度来求解用于确定电活性杂质浓度的方程，以便近似地确定电活性杂质浓度，上述总的杂质浓度是在刚过去的时间点上求解扩散方程的结果。确定每个网点的电活性杂质浓度的近似值与在刚过的时间点的总杂质浓度之间的比值。通过对每...

在硅基片的表面上涂上一层作为下层电极的贵金属（Ｐｔ），然后电极上由包含铋元素的氧化薄膜构成的缓冲层。在该缓冲层的表面上形成铋层结构的铁电物质的薄膜。这样，在低温度进行的结晶过程中，可以避免铋层结构的铁电物质与涂在硅基片上的贵金属之间发生...

在一种生产半导体器件的方法中，用镶嵌法在夹层绝缘膜上形成一层铜布线膜。在铜布线膜和夹层绝缘膜上形成一层保护性绝缘膜。然后在保护性绝缘膜中形成窗孔。接着在保护性绝缘膜上淀积一层含Ａｌ薄膜填充窗孔。在此情况下，可将含Ａｌ膜加工成图形。或对含...

在具有高压晶体管的半导体器件中，高压晶体管的第一阱区形成于半导体基片内作为沟道区。该第一阱区为第一导电型。高压晶体管的第二阱区形成于半导体基片内作源极区及漏极区夹住第一阱区。第二阱区为第二导电型。第一阱区的表面及第二阱区的表面为平面。

一种电荷转移器件，包括：检测信号电荷用的检测ＭＯＳＦＥＴ；在信号电荷被检测后除去该信号电荷的重置ＭＯＳＦＥＴ。所述重置ＭＯＳＦＥＴ包括浮置扩散层（３）；导质层（４）；重置栅极（９）。所述检测ＭＯＳＦＥＴ包括与浮置扩散层（３）相连的检测栅...

一种生成半导体装置的核的方法，包括设置虚拟块（１０）的步骤，该虚拟块（１０）具有连接到所述核之外的外部电路的外部布线上的接点（１４）。此外，该生成半导体装置的核的方法包括在所述虚拟块（１０）中设置布线禁止区（１５）的步骤。配置在该核内的...

披露了一种半导体存储器，它包括：带有多个读出放大器的读出放大器区，各读出放大器将从存储器单元中的一个单元向数字位线读出的信号进行放大，所述各读出放大器由Ｎ－ＭＯＳ晶体管和Ｐ－ＭＯＳ晶体管构成，所述读出放大器区被分成多个部分；Ｎ－ＭＯＳ晶...

在一个半导体存储器件中包括正规存储单元阵列、正规解码器、冗余存储单元阵列、和冗余解码器，冗余解码器包括多个冗余解码电路，每个冗余解码电路被提供测试模式信号。冗余解码电路被以不同顺序提供地址信号和互补地址信号，以便以相反顺序提供至少一对地...

本发明提供一种制造包括ｎＭＯＳＦＥＴ和ｐＭＯＳＦＥＴ的ＣＭＯＳ半导体器件的方法，包括（ａ）在半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成第一导电膜；在第一导电膜上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第二导电膜；在要制造ｎＭＯＳＦＥＴ的第一区...