半导体器件生产方法技术

半导体器件的生产方法包含如下步骤：在半导体基片上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成由导电材料构成的导电薄膜，在导电薄膜上形成由有机材料构成的防反射敷层，在防反射敷层上形成光敏光刻胶膜，通过曝光在光刻胶膜上显影预定的光图像，以形成光刻胶图形，用包含氧气，反应气及惰性气体的混合气的等离子体的干蚀选择的去除防反射敷层，从而形成防反射敷层图形，并用光刻胶图形作为掩膜蚀刻导电薄膜，从而形成电极。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的生产方法，其用于多级互连结构中形成互连图形。LSI(大规模集成电路)是通过重复如下步骤进行的，即半导体基片上形成由各种材料形成的薄膜，然后通过光刻和蚀刻部分去除薄膜。光刻的作用是在预定的位置形成具有预定尺寸的图形。蚀刻的作用是通过用光刻形成的图形做掩膜从表面部分去除薄膜，从而形成具有所需尺寸的薄膜材料构成的互连。下面对构成LSI的金属氧化物半导体晶体管的栅电极互连进行描述。如图2A所示，在硅基片201上形成栅绝缘膜202，导电膜(例如多晶硅膜)203形成在栅绝缘膜202上。如图2B中所示，在导电膜203上形成防反射敷层(ARC)204。如图2C中所示，通过公知的光刻技术在防反射敷层204上形成光刻胶图形205。在此光刻技术中，由于防反射敷层204形成在光刻胶图形205下面，可防止形成妨碍形成高精度图形的驻波效应。如图2D所示，用光刻胶图形205作为掩膜蚀刻防反射敷层204，从而形成图形204a。使用混合气体的干蚀进行此种蚀刻，其中的混合气体是通过将氯气或溴化氢气体加入氧气中所获得的。由于防反射敷层204为有机膜，其可通过用氧气的干蚀进行蚀刻。如果只本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的生产方法，其特征在于包含如下步骤： 在半导体基片上形成绝缘膜（１０２）； 在所述绝缘膜上形成由导电材料构成的导电薄膜（１０３）； 在所述导电薄膜上形成由有机材料构成的防反射敷层（１０４）； 在所述防反射敷层上形成光敏光刻胶膜（１０５）； 通过暴光在所述光刻胶膜上显影预定的光图像，以形成光刻胶图形（１０５ａ）； 用包含氧气，反应气及惰性气体的混合气的等离子体的干蚀选择的去除所述防反射敷层，用所述保护图形作为掩膜，从而形成防反射敷层图形（１０４ａ）；及 并用所述保护膜图形作为掩膜蚀刻所述导电薄膜，从而形成电极（１０３ａ）。

【技术特征摘要】
JP 1997-12-24 354617/971．一种半导体器件的生产方法，其特征在于包含如下步骤在半导体基片上形成绝缘膜(102)；在所述绝缘膜上形成由导电材料构成的导电薄膜(103)；在所述导电薄膜上形成由有机材料构成的防反射敷层(104)；在所述防反射敷层上形成光敏光刻胶膜(105)；通过暴光在所述光刻胶膜上显影预定的光图像，以形成光刻胶图形(105a)；用包含氧气，反应气及惰性气体的混合气的等离子体的干蚀选择的去除所述防反射敷层，用所述保护图形作为掩膜，从而形成防反射敷层图形(104a)；及并用所述保护膜图形作为掩膜蚀刻所述导电薄膜，从而形成电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤和美，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]