【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，尤其是一种可防止在存储单元阵列区的最外边的边沿部分栅极和电容接触部分短路的半导体器件。在常规的半导体器件中，存储单元阵列是通过重复设置单个的存储单元形成的。然而，在存储单元阵列区中间的重复部分处的器件形状不同于存储单元阵列区最外面边沿部分处的器件形状。所以，在最外面的边沿部分电容接触部分和栅极容易产生短路。具体的说，这种短路是如下产生的。当在存储单元阵列区内形成器件分离区(器件隔离区)时，在存储单元阵列区的最外边的边沿部分形成的器件分离区必然厚于在存储单元阵列区的中间部分的器件分离区。在这样一种情况下，当栅极形成在存储单元区时，在存储单元阵列区最外面的边沿处的栅极被形成在比存储单元阵列区的中间部分的栅极高的位置。在其后的步骤中，在淀积层间隔离膜之后，分别在存储单元阵列区的中间部分(里面部分)和存储单元阵列区的最外面边沿部分开出电容器接触区。在这种情况下，当电容器接触区以锥形刻蚀时，在最外面的边沿部分的电容接触部分和栅极之间没有余量。因此容易造成短路。结果，大大的降低了产量。在这种情况下，当在最外面的栅极是以与在存储单元阵列区的中...
【技术保护点】
一种半导体器件，其至少具有一个存储单元阵列区，在这个存储单元阵列区中以阵列的形式设置多个存储单元，其特征在于包括：至少在所述存储单元阵列区的最外面的边沿部分设置的一边沿部分；在所述存储单元阵列区中间的部分以预定的第一间隔重复地设置的 第一栅极；以及在所述边沿部分以第二间隔设置的一第二栅极；其中的第一间隔不同于第二间隔。
【技术特征摘要】
JP 1997-12-26 360614/971．一种半导体器件，其至少具有一个存储单元阵列区，在这个存储单元阵列区中以阵列的形式设置多个存储单元，其特征在于包括至少在所述存储单元阵列区的最外面的边沿部分设置的一边沿部分；在所述存储单元阵列区中间的部分以预定的第一间隔重复地设置的第一栅极；以及在所述边沿部分以第二间隔设置的一第二栅极；其中的第一间隔不同于第二间隔。2．根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于第二间隔宽于第一间隔。3．根据权利要求2所述的一种半导体器件，其特征在于所述第二栅极按一预选的距离偏向所述存储单元阵列外侧的方向。4．根据权利要求3所述的一种半导体器件，其特征在于预选的距离在0.02和0.1微米的范围内。5．根据权利要求3所述的一种半导体器件，其特征在于在一个所述第一栅极和所述第二栅极之间形成一电容器接触部分，所述第二栅极偏向外侧方向以便防止所述第二栅极与所述电容接触部分相接触。6．根据权利要求5所述的一种半导体器件，其...
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