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半导体器件的生产方法包含如下步骤：在半导体基片上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成由导电材料构成的导电薄膜，在导电薄膜上形成由有机材料构成的防反射敷层，在防反射敷层上形成光敏光刻胶膜，通过曝光在光刻胶膜上显影预定的光图像，以形成光刻胶图形，用包含氧...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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