在一半导体存贮器中，为了消除位线和总线之间耦合电容的不平衡，在位线层和总线层之间配置一层中间层的列选择信号线。并且，将列选择线的宽度增大成能够盖住因有一接触而宽度互不相同的位线，以此用列选择信号线屏蔽位线和总线，并平衡位线和总线之间的耦...

一种消除ＣＭＰ工艺所产生的抛光残余物的半导体器件制造方法。首先在半导体衬底表面或上方与衬底间隔至少一个层面制备一个带孔的第一层面。接着，形成第二层面以覆盖该孔。孔内未完全被第二层面所填满，从而在该第二层面上形成一空隙。在第二层面上形成一...

公开了一种用电子束对预先形成的基底图形进行重叠曝光的方法，其包括步骤如下：１）将一组形成于基底图形上的图形分为任意的区域；２）计算每个任意区域的基底图形的区域密度；３）根据该区域密度产生一个图形；４）用图形进行辅助曝光；和５）进行主曝光...

一种半导体器件的制造方法包括在半导体基片上形成一个杂质扩散层的步骤，形成一种绝缘膜覆盖杂质扩散层，而后在绝缘膜中形成开口延伸到杂质扩散层表面的步骤，和在开口中形成电极导体膜的步骤，进一步包括下述步骤，在开口中形成电极导体膜之前，进行离子...

在内层绝缘结构（４９）上完成布线带（５１ａ／５１ｂ）之后，检测场效应晶体管（ＦＥＴ１）的阈值电压是否处于设计范围，如果阈值电压在设计范围之外，则通过内层绝缘结构、栅电极（４４）和栅绝缘层（４３），向场效应晶体管的沟道区注入氢离子（Ｈ＋）...

本发明之目的是把电压独立于源区地加到沟道区域（基体区域）上，而不增加布局面积。其构成是在ＳＯＩ衬底的隐埋氧化膜２上面形成沟道区域５的Ｐ型半导体区域，并通过栅绝缘膜７形成栅电极８。形成漏区域３，使之达到隐埋氧化膜２，在源区４和隐埋氧化膜２...

半导体集成电路，具有输入保护电路，该保护电路包含接收由外部端子输入的信号的输入初级电路和根据输入初级电路的输出信号实行半导体集成电路本来目的的信号处理动作的内部电路，当在上述外部端子上外加足以破坏输入初级电路的过电压时，加在外部端子上的...

一种半导体器件，其中形成在设置于半导体基底上的层间绝缘膜上的孔中隐埋互连材料，该半导体器件包括一保护层，该保护层形成于层间绝缘膜的表面上，在化学机械抛光过程中，其具有较互连材料更低的抛光率。本发明还揭示了制作这种半导体器件的方法。

本发明提供了一种半导体清洗液，它能够使半导体器件在清洗时其形状基本上不发生变化，并且能够使清洗能力长时间保护稳定。该清洗液是将有机酸铵盐加入到由氢氧化铵、过氧化氢和水组成的混合液（ＮＨ↓［４］ＯＨ：Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］：Ｈ↓［２］Ｏ）中...

用底座台对准半导体衬底的方法，包括步骤：扫描形成于所说半导体衬底上的对准标记，以及确定所说对准标记的位置，其特征在于：用电子束以一定的扫描角（θ），对准标记进行扫描；对每个扫描角（θ）计算所说对准标记沿扫描方向的宽度（Ｗ）；从在步骤（ｂ...

一种引线框架及一种引线接合方法，每个引线具有一个通过凸块及支承芯片安装部位的引线主体电连接到该半导体芯片的芯片安装部位。当侧视时，从引线主体到凸块之间的引线通道向Ｘ、Ｙ、Ｚ三个方向弯折，使得引线主体的末端与该芯片安装部位分别位于不同的水...

用于半导体器件的由第一和第二金属层组成的金属合金中，所述第一金属层由铜和铝组成，其中铜大约占０．１－１０重量百分比，其余部分基本上为铝，而第二金属层由钯和金组成，其中钯大约占０．５－５重量百分比，其余部分基本上为金。

通过在半导体基片上形成的工件膜上涂敷一种抗反射膜形成材料形成抗反射膜，然后形成光致抗蚀膜。此时，该抗反射膜形成材料包括构成所述材料的基本树脂和添加到所述基本树脂中的添加树脂，所述添加树脂组具有比基本树脂高的干蚀率。通过对抗蚀膜辐射和显影...

一种多层互连结构，包括：形成于半导体衬底上的互连接层；用于掩埋互连层之间的区域的掺氟氧化膜；及形成于掺氟氧化膜上的氧化膜，该氧化膜有平面化的表面，且不含氟。还公开了一种形成多层互连结构的方法。

一种检验图形结构，利用它无需对通孔高精度定位就能验证通孔是否正确地开通，本发明的检验图形结构包含：形成在半导体基片（２）上的检验布线线条（３），形成在半导体基片（２）上以覆盖检验布线线条的绝缘膜（４）；以及一对通孔（６），每个形成在检验...

在非晶氟化碳膜与金属之间的界面放置诸如氮化钛高熔点含氮金属膜。由于高熔点含氮金属膜的防止氟扩散的功能，得到的结构能防止加热处理时诸如金属与氟反应等问题，也可以解决金属膜的塌下或膨胀。另外，在制造步骤中可以引入热处理步骤，所以可以完成实用...

本发明涉及一种上拉电路和一种下拉电路，其中，上拉电路包括有一ｐＭＯＳ晶体管（ｐ２），所述ｐＭＯＳ晶体管（ｐ２）的漏极被连接到第一节点（Ａ２），所述ｐＭＯＳ晶体管（ｐ２）的源极和衬底与一正电源（Ｖｃｃ）相连，和所述ｐＭＯＳ晶体管（ｐ２）的...

一种ＣＭＯＳ结构半导体器件制备方法，以第一加速能量将ｎ型掺杂剂离子注入ＮＭＯＳ区中的第一对ｎ型源／漏区的表面区和第一栅极的表面区，由此形成多个第一非晶区。以比第一加速能量低的第二加速能量，将ｎ型掺杂剂离子注入进ＰＭＯＳ区的第二对ｐ型源／...

在一个包含ＭＯＳ场效应晶体管的半导体器件中，在一硅衬底上面形成一层第一半导体层并有一个栅区。此外，经一层栅氧化膜在第一半导体层上形成第二半导体层并有一个有源区。在此情况下，第一半导体层由一层硅层形成，而第二半导体层则由一层多晶硅形成。这...

一种对布线上的等离子体ＳｉＯＦ氧化层有良好键合性能并对掩埋布线间隔部位有良好掩埋性能的半导体器件。它在半导体衬底上淀积形成一层要作布线基底的金属层，在金属层上淀积形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层，并在抗反射层上淀积形成一层绝缘层。之...