能用低介电常数非晶氟化碳膜作为层间绝缘材料的半导体器件及其制备方法技术

在非晶氟化碳膜与金属之间的界面放置诸如氮化钛高熔点含氮金属膜。由于高熔点含氮金属膜的防止氟扩散的功能，得到的结构能防止加热处理时诸如金属与氟反应等问题，也可以解决金属膜的塌下或膨胀。另外，在制造步骤中可以引入热处理步骤，所以可以完成实用的由低介电常数非晶碳构成的多层布线结构的ＬＳＩ制备工艺。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法，该器件具有由非晶氟化碳膜构成的绝缘材料，特别涉及在多层布线结构中具有由非晶氟化碳膜构成的层间绝缘膜的半导体器件及其制备方法。随着由半导体构成的大规模集成电路(LSI)的集成度的提高，正在硅衬底表面上集成非常小尺寸如0.25μm或以下的分立元件。LSI在分立元件间布线的基础上工作。为了避免分立元件之间的相互连接处布线的交叉而采用的迂回布线使芯片面积上的布线面积增加，且由于增加了的布线距离使信号延迟。为此，为避免布线的交叉和堆叠点，在多层布线技术中通常在布线之间插入绝缘膜。但是，在其间放置绝缘膜构成的多层布线技术有一个问题，即增加了不同布线层之间或布线层与硅衬底之间的杂散电容。它导致布线中信号延迟，在通过两相邻布线传输含高频分量的信号串线，向上和向下堆积。防止信号延迟和串线的方法是降低布线层间的杂散电容、并增加上下布线之间的距离，换句话说，是增加层间绝缘膜的厚度。但是该方法加深了用于连接硅衬底与布线层或连接上下布线层的接触孔和通孔。更难进行用于形成加深的接触孔和通孔的干法刻蚀。因此，加厚层间绝缘膜不合适。例如，在制造256M的DRAM(动态本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其绝缘材料至少部分由非晶氟化碳膜构成，该器件包括：至少部分在所说非晶氟化碳膜与金属材料之间的界面处包括高熔点含氮金属膜的膜部件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-4-2 83773/971.一种半导体器件，其绝缘材料至少部分由非晶氟化碳膜构成，该器件包括至少部分在所说非晶氟化碳膜与金属材料之间的界面处包括高熔点含氮金属膜的膜部件。2.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说高熔点含氮金属膜有导电性。3.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说高熔点含氮金属膜为含氮钛膜。4.如权利要求3的半导体器件，其特征为，所说含氮钛膜有约1∶1的钛与氮的组分比。5.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说金属材料包括选自铝、钛、钨、铜和硅构成的组中的金属。6.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说金属材料包括至少含选自铝、钛、钨、铜和硅构成的组中的一种金属的合金。7.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说非晶氟化碳膜至少用作多层布线结构中的部分层间绝缘膜。8.如权利要求7的半导体器件，其特征为，所说膜部件包括高熔点含氮金属膜，该含氮金属膜至少形成在所说非晶氟化碳膜与通孔侧壁上所说金属材料之间的界面上。9.一种制造半导体器件的方法，所说方法包括以下步...

【专利技术属性】
技术研发人员：松原义久，远藤和彦，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]