用于生产半导体衬底的方法技术

生产半导体衬底的方法，对第一衬底的表面阳极化形成多孔层；在多孔层表面和第一衬底与多孔层一侧相对侧的表面上同时形成半导体层；把多孔层表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底使多孔层表面上形成的半导体层转换到第二衬底上，从而在第二衬底的表面上提供半导体层。这使得可以以低的成本生产半导体衬底，同时可很好地利用昂贵的衬底材料。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种用于生产其上形成有薄膜晶体层并最好可专门用作太阳能电池的衬底的廉价半导体衬底的方法。太阳能电池作为各种仪器的驱动能源或和市电系统地连接的电源已被进行了广泛的研究和研制。在这种太阳能电池的制造中，因为要求低成本而试图在成本尽可能低的衬底上形成半导体器件。同时，通常用硅作为构成太阳能电池的半导体。尤其是从把光能转换为光电动势的效率(光电转换效率)方面看来，单晶硅是最好的。然而，从达到大面积和低成本的观点看来，非晶硅被认为是有利的。近年来，为了达到相当于非晶硅的低成本和相当于单晶硅的高的光电转换效率，研究使用多晶硅。然而，在这种单晶硅和多晶硅中，常规上提出的方法要求把块状晶体切成片状衬底，因而难于获得厚度为0.3mm或更小的衬底。这样，通过用这种方法切块状晶体而获得的衬底具有较大的厚度，不能吸收足够量的光，因而不能认为可充分用作衬底材料。即为了以低成本制造半导体器件例如太阳能电池，必须把衬底作得更薄。最近，提出了一种方法，其中硅片通过借助于把熔融的硅滴浇铸在模具中进行旋转的方法而形成。然而，这样获得的衬底的厚度至少大约为0.1-0.2mm，和所需的用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生产半导体衬底的方法，包括下述步骤： 第一步，对第一衬底的表面阳极化，从而在其表面形成多孔层； 第二步，在多孔层的表面上和在第一衬底的与多孔层一侧相对的一侧的表面上同时形成半导体层； 第三步，把在多孔层的表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；以及 第四步，在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底，从而使在多孔层的表面上形成的半导体层转换到第二衬底上，借以在第二衬底的表面上提供半导体层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-3-27 075543/971.一种用于生产半导体衬底的方法，包括下述步骤第一步，对第一衬底的表面阳极化，从而在其表面形成多孔层；第二步，在多孔层的表面上和在第一衬底的与多孔层一侧相对的一侧的表面上同时形成半导体层；第三步，把在多孔层的表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；以及第四步，在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底，从而使在多孔层的表面上形成的半导体层转换到第二衬底上，借以在第二衬底的表面上提供半导体层。2.如权利要求1所述的方法，其中还包括在所述第四步之后的第五步，除去作为分离的结果留在第一衬底的表面上剩余的多孔层；第五步之后进行第一步，从而重复第一步到第五步，以便使用同一个第一衬底在多个第二衬底的表面上形成半导体层。3.如权利要求1所述的方法，其中在第二步中半导体层的层厚被控制。4.如权利要求3所述的方法，其中在第二步，当在多孔层表面上形成的半导体层的层厚用E表示，多孔层的层厚用P表示时，在半导体层只在多孔层上形成之后，在半导体层的表面上和在第一衬底的与多孔层侧相对侧的表面上同时形成厚度为E-P的半导体层。5.如权利要求3所述的方法，其中在第二步中半导体层在液相中形成。6.如权利要求5所述的方法，其中多个第一衬底被合适地设置其间的距离并放置在液体中，从而控制在多孔层的表面上形成的半导体层的层厚和在第一衬底的与多孔层侧相对侧的表面上形成的半导体层的层厚。7.如权利要求2所述的方法，其中在第一至第五步被重复之后，在第一衬底的与多孔层侧相对侧的表面上多次形成的半导体层被溶解进溶剂中以便被再利用。8.如权利要求3所述的方法，其中在第二步中半导体层在汽相中形成。9.如权利要求8所述的方法，其中在第二步使和多孔层的表面进行接触的开始气体和与第一衬底的与多孔层侧相对侧的表面进行接触的开始气体不同，从而使在多孔层的表面上形成的半导体层的层厚和在第一衬底的与多孔层侧相对侧的表面上形成的半导体层的层厚不同。10.一种用于生产半导体衬底的方法，包括第一程序，其中包括第一步，对第一衬底的表面阳极化，从而在其表面形成多孔层；第二步，同时在多孔层的表面上形成半导体层并在第一衬底的与多孔层一侧相对一侧的表面上形成半导体层；第三步，把在多孔层的表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；第四步，在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底，从而使在多孔层的表面上形成的半导体层转换到第二衬底上；以及第五步，除去作为分离的结果在第一衬底的表面上剩余的多孔层；以及第二程序，其中包括第一步，对第一衬底的表面阳极化，从而在其表面形成多孔层；第二步，只在多孔层的表面上形成半导体层；第三步，把在多孔层的表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；第四步，在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底，从而使在多孔层的表面上形成的半导体层转换到第二衬底上；以及第五步，除去作为分离的结果的第一衬底的表面上剩余的多孔层；第一和第二程序至少被重复一次，从而利用相同的第一衬底在多个第二衬底的表面上提供半导体层。11.如权利要求10所述的方法，其中在第二步当在多孔层表面上形成的半导体层的层厚用E表示，多孔层的层厚用P表示时，执行第一程序的次数和执行第二程序的次数的比率被控制为P(E-P)。12.一种生产半导体衬底的方法，包括下列步骤第一步，对第一衬底的表面阳极化，从而在其表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎由希子，中川克己，米原隆夫，西田彰志，坂口清文，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]