半导体晶片的湿法处理方法及湿法处理装置制造方法及图纸

防止在湿法处理过的半导体晶片上的颗粒。在对半导体晶片进行药液处理、用纯水进行水洗、然后直接移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥的半导体晶片的湿法处理方法中，在药液处理和干燥之间用含有半导体颗粒去除剂的溶液处理半导体晶片。作为半导体颗粒去除剂，使用调整颗粒的＊电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂。另外，使用谋求半导体胶体的凝集以阻止形成颗粒的半导体胶体凝集剂。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺中使用的半导体晶片的湿法处理方法及湿法处理装置。在半导体制造工艺的湿法处理工序中，在半导体晶片上不产生水渍的干燥方法是必不可少的，以往的干燥技术中，有使晶片转动进行甩干的“旋转干燥”和使晶片在IPA蒸汽环境中移动来进行干燥的“IPA”蒸汽干燥的方法。这些方法中存在着从最终水洗到干燥的传送过程中产生水渍的问题。因而，代替这些方法，通过把晶片从水中移动到IPA蒸汽环境中进行干燥的“马栾哥尼干燥”和在水的表面上形成IPA层并用IPA直接置换水的“IPA直接置换干燥”方法正在引起人们的关注。还有，在晶片处理中，处理装置的大型化也成为问题。在具备多个药液槽和水洗槽的装置中不得不加大装置的专有面积。作为其对策，在一个处理槽内能够注入纯水和多种药液的单槽型的装置是有效的。同时解决这两个问题的装置是单槽型的进行马栾哥尼干燥或IPA直接置换干燥的装置。附图说明图14中示出代表性的装置概况。图14中，在浸于处理槽(处理室)1中的晶片2上流过来自处理槽1下部的药液供给口3的药液进行刻蚀处理。然后，从供给口3流出纯水进行清洗。药液及纯水从处理槽1溢出并从排放口4排出。晶片2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的湿法处理方法，该方法中在１个处理槽中进行了半导体晶片的药液处理后进行上述半导体晶片的水洗，然后直接把上述半导体晶片移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥，其特征在于：在上述药液处理和干燥的工序之间，用含有半导体颗粒去除剂的溶液 处理上述半导体晶片。

【技术特征摘要】
JP 1997-4-28 110589/971.一种半导体晶片的湿法处理方法，该方法中在1个处理槽中进行了半导体晶片的药液处理后进行上述半导体晶片的水洗，然后直接把上述半导体晶片移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥，其特征在于在上述药液处理和干燥的工序之间，用含有半导体颗粒去除剂的溶液处理上述半导体晶片。2.权利要求1所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于作为上述半导体颗粒去除剂，使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂。3.权利要求2所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于作为上述半导体颗粒附着防止剂，使用乙醇、电解离子水或表面活性剂的任一种。4.权利要求1所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于在上述水洗工艺的至少一部分中，把上述半导体颗粒去除剂添加到水洗用的纯水中。5.权利要求4所述的半导体晶片的温法处理方法，其特征在于在半导体晶片的处理槽中使水洗用的纯水流过后，在滞留在上述半导体晶片的处理槽内的纯水中添加上述半导体颗粒去除剂。6.权利要求4所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于在半导体晶片的处理槽中使水洗用的纯水流过的水洗工艺的至少一部分中，在上述流过的纯水中添加上述半导体颗粒去除剂。7.权利要求4所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于在半导体晶片的处理槽中使水洗用的纯水流过的水洗工艺的全部过程中，在上述流过的纯水中添加上述半导体颗粒去除剂。8.一种半导体晶片的湿法处理方法，该方法中在1个处理槽内进行了半导体晶片的药液处理后进行上述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷典一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]