【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置及生产半导体装置的方法。
技术介绍
已知将两个半导体基板结合在一起以生产高集成度的半导体芯片的技术(例如， 见日本专利公开No. 2006-66808，以下称专利文件1)。根据专利文件1，结合在一起的两个 半导体基板通过保持在其间的隆起彼此电连接。
技术实现思路
这里公开的是提供一种或多种途径来最小化或消除材料从接触焊盘扩散进入相 对基板或相对基板上的接触焊盘的一项或多项专利技术。根据本专利技术的实施例，两个半导体基板的每一个都提供有焊盘，并且两个焊盘通 过其彼此直接接触而彼此连接。本专利技术的实施例避免了结合的半导体基板因一个焊盘和/或基板相对于另一个 焊盘和/或基板的相对位移而使电特性劣化。这样的位移能够引起一个半导体基板上的焊 盘与另一个半导体基板上的介电膜进行接触。在此情况下，构成焊盘的金属的离子可以扩 散进入介电膜，由此降低了电特性。本专利技术的实施例提供半导体装置及其生产方法。根据本专利技术实施例的半导体装置包括基板、介电层、焊盘和配线。介电层形成在基 板的一侧上。焊盘形成在介电层的凹槽内。配线连接到焊盘。焊盘的至少露出的顶表面...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：基板；介电层，在所述基板的一侧；焊盘，在所述介电层的凹槽内；以及配线，连接到所述焊盘，其中，所述焊盘的至少露出的顶表面的区域由在绝缘层中的扩散性低于所述配线在绝缘层中的扩散性的金属材料制造，并且所述绝缘层形成在另一个基板上，所述绝缘层与其中包含有所述焊盘的所述介电层相邻。
【技术特征摘要】
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