半导体器件和制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括保护绝缘膜、被形成在保护绝缘膜中的开口、位于开口内的电极焊盘、被形成在保护绝缘膜上的凸块、以及互连。凸块包括凸块核和导电膜。凸块核包括绝缘树脂层和位于绝缘树脂层上的导电树脂层。导电膜至少被形成在凸块核的上表面上。互连连接凸块的导电膜和电极焊盘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有凸块的，在所述凸块中，导 电膜被形成在树脂构成的凸块核上。
技术介绍
凸块被形成在半导体器件中以将半导体器件安装在安装板上。被包括在半导体器 件中的电路通过此凸块被连接至诸如安装板的焊接区(land)的电极上。近年来，已经开发 如下的技术，在其中凸块的核由树脂形成，并且通过将导电膜形成在此核上来形成凸块。例如，日本未经审查的专利公开No. 2007-201106公布一种技术，该技术用于分散 形成凸块核的树脂中的导电金属颗粒。根据此技术，已知即使当在导电膜中产生裂痕或者 细缝时，也能够抑制凸块和电极之间的电气连接的可靠性的降低。通过在日本未经审查的专利公开No. 2007-201106中公开的技术，导电金属颗粒 被分散在整个凸块核中。另一方面，可能存在下述情况，其中当凸块相互接触时，则凸块核 的下部将相互连接。在这样的情况下，当导电金属颗粒被分散到整个凸块核中时，彼此相邻 的凸块通过凸块核被短路。
技术实现思路
在一个实施例中，提供了一种半导体器件，包括保护绝缘膜；开口，该开口被形 成在保护绝缘膜中；电极焊盘，该电极焊盘位于开口中；凸块，该凸块被形成在保护绝缘膜 上方，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：保护绝缘膜；开口，所述开口被形成在所述保护绝缘膜中；电极焊盘，所述电极焊盘位于所述开口中；凸块，所述凸块被形成在所述保护绝缘膜上方，包括凸块核和被形成在所述凸块核上方的导电膜；以及互连，所述互连连接所述凸块的所述导电膜和所述电极焊盘，其中，所述凸块核包括绝缘树脂层，和位于所述绝缘树脂层上方的导电树脂层。

【技术特征摘要】
JP 2009-10-27 2009-2468131.一种半导体器件，包括 保护绝缘膜；开口，所述开口被形成在所述保护绝缘膜中； 电极焊盘，所述电极焊盘位于所述开口中；凸块，所述凸块被形成在所述保护绝缘膜上方，包括凸块核和被形成在所述凸块核上 方的导电膜；以及互连，所述互连连接所述凸块的所述导电膜和所述电极焊盘，其中，所述凸块核包括绝缘树脂层，和位于所述绝缘树脂层上方的导电树脂层。2.如权利要求1所述的半导体器件， 其中，沿着第一方向布置多个所述凸块，所述互连从所述凸块伸展到不同于所述第一方向的第二方向，并且所述多个凸块核被构成为使得形成所述凸块核的所述绝缘树脂层的至少下部相互连接。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，通过在绝缘树脂中混合导电粉末，使得所述导电树脂层具有导电性。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：别宫史浩，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]