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本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括保护绝缘膜、被形成在保护绝缘膜中的开口、位于开口内的电极焊盘、被形成在保护绝缘膜上的凸块、以及互连。凸块包括凸块核和导电膜。凸块核包括绝缘树脂层和位于绝缘树脂层上的导电树脂层。导电膜...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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