半导体器件及其制造方法技术

一种对布线上的等离子体ＳｉＯＦ氧化层有良好键合性能并对掩埋布线间隔部位有良好掩埋性能的半导体器件。它在半导体衬底上淀积形成一层要作布线基底的金属层，在金属层上淀积形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层，并在抗反射层上淀积形成一层绝缘层。之后，加工绝缘层图形并用其作掩膜刻蚀抗反射层和金属层加工布线图形并在布线上留有抗反射层和绝缘层。再将加工成图形的布线连同抗反射层和绝缘层一起掩埋入ＳｉＯＦ层。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及到一种具有存储功能、逻辑功能和各种特定半导体材料功能的。更具体地说，本专利技术涉及到这种半导体器件的多层互联结构及其制作方法。近年来，伴随着半导体集成电路封装密度的改进和增加，多层布线结构的改进和使用已有显著发展。在一个逻辑型半导体器件中，因为需要缩短信号的传播延迟，所以要求减小层间绝缘层的介电常数。因此，曾经研究使用高密度等离子体CVD(化学气相淀积)装置(HDP-CVD)引入含氟气体淀积SiOF(ε≈3.3)作低介电常数层。当使用SiOF层作为低介电常数层时，就有可能甚至在布线间隔小于或等于0.25μm时也能得到非常满意的掩埋，而这在由平行板等离子体CVD方法(PE-CVD法)用TEOS(四乙氧基硅烷)或类似材料形成硅氧化层的情况下是不可能的，TEOS之类的材料已广泛用作常规的气体材料。另一方面，除了HDP-CVD方法之外，还有一种是在按上述平行板等离子体CVD方法(PE-CVD)形成Si氧化层的时候加入腐蚀型的含氟气体形成SiOF的方法(例如，日本未审查专利公报No.平6-302593)。在这种方法中，因为腐蚀是与层的淀积同时进行的，所以能获得好的掩埋性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，它包括： 通过刻蚀在半导体衬底上形成的布线； 在形成所述的布线中用作刻蚀掩模的一层绝缘层，所述绝缘层只经一层抗反射层形成在所述布线上面的表面上；以及 含的氟并掩埋所述抗反射层和所述绝缘层在其中的一层氧化硅层。

【技术特征摘要】
JP 1997-3-31 80672/971.一种半导体器件，其特征在于，它包括通过刻蚀在半导体衬底上形成的布线；在形成所述的布线中用作刻蚀掩模的一层绝缘层，所述绝缘层只经一层抗反射层形成在所述布线上面的表面上；以及含有氟并掩埋所述抗反射层和所述绝缘层在其中的一层氧化硅层。2.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述布线上的所述绝缘层是氧化硅层。3.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述布线上的所述绝缘层是氮化硅层。4.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述布线上的所述抗反射层是一种难熔金属或其化合物形成的。5.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述布线上的所述抗反射层是由Ti、W、TiN、TiW或其叠层结构中的任一种形成的。6.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述布线的主要成分是Al。7.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述布线的主要成分是Cu。8.一种半导体器件的制造工艺，其特征在于，它包括在半导体衬底上形成一层金属层成为布线基底的金属层形成步骤；在所述金属层上形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层的抗反射层形成步骤；在所述抗反射层上形成一层绝缘层的绝缘层形成步骤；对所述绝缘层加工图形的绝缘层图形加工步骤；进行布线图形加工的布线图形加工步骤，它用加工成图形的...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山孝司，山田义明，岸本光司，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]