在半导体芯片进行接合的构造和应用该构造的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种将含金突起接合到半导体芯片的含铝电极焊盘上的同时，对该接合部分进行了树脂封装的半导体装置，在含铝电极焊盘与金突起之间的接合部分上的连接可靠性高。以及树脂封装型半导体装置及他们的制造方法。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有用导电焊盘等把半导体芯片连接到绝缘衬底上，并进行了树脂封装或气密封装的构成的无引线方式的半导体装置(以下，称之为无引线半导体装置)。一般说，半导体装置通常具备半导体芯片和对其进行封装的封装。此外，半导体装置有着被使用于多种多样的领域中去的倾向，人们认为其应用领域还会更广。特别是象多媒体等那样需要对大量的信息瞬时地进行处理的领域中，要求更高密度化，更超微细化的半导体装置，该要求被认为今后还会加强。为了满足这样的要求，半导体芯片中的微细化技术的进步是很突出的。如上所述，高密度化和超微细化后的半导体装置，为了与外部进行连接而具备有多个电极，这些电极大多用铝形成。另一方面，装配半导体芯片的封装具有用于安装半导体芯片的装配基板和与半导体芯片的铝电极电连的引线框架。其中，在采用把半导体芯片装配到封装内的办法构成的半导体装置中，一种形式为在把半导体芯片安装到装配基板上同时，把半导体芯片的电极用导线电连到引线框架上。在这样的半导体装置中，采用树脂把半导体芯片和导体线及引线框架的一部分一起进行树脂封装的封装方式(以下，称之为树脂封装方式)，但是由于产量性不好故未被广为采用。特别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对半导体芯片进行结合的构造，是通过在半导体芯片上形成的含铝电极连接着含金的球状或线状的导体突起的半导体芯片上进行接合的构造，其特征是：在上述半导体芯片与上述导体突起之间，具备含有含铝电极接合部，上述接合部含有Ｐｄ和Ｃｕ。

【技术特征摘要】
JP 1997-3-31 079720/971.一种对半导体芯片进行结合的构造，是通过在半导体芯片上形成的含铝电极连接着含金的球状或线状的导体突起的半导体芯片上进行接合的构造，其特征是在上述半导体芯片与上述导体突起之间，具备含有含铝电极接合部，上述接合部含有Pd和Cu。2.权利要求1所述的对半导体芯片进行接合的接合构造，其特征是上述含铝电极和上述导体突起之一，在其表面或内部至少一方中含Pd。3.权利要求1或2所述的对半导体芯片进行接合的接合构造，其特征是上述含铝电极由含有0.1～1％Cu和剩下的部分实质上为铝的金属构成，上述导体突起由含有0.5～5％Pd和剩下的部分为金的金属构成，上述接合部具有合金层。4.一种具有上述半导体芯片，和已设于上述半导体芯片的含铝电极上边的含金导体突起的半导体装置，其特征是在上述半导体芯片与上述导体突起之间，具备含有上述含铝电极的接合部，上述接合部包括含铝电极、Pd和Cu。5.权利要求4所述的半导体装置，其特征是上述含铝电极和上述导体突起之一，在其表面或内部的至少一方中含Pd。6.权利要求4或5所述的半导体装置，其特征是上述含铝电极由含有0.1～1％的Cu和剩下的部分实质上为铝的金属构成，上述导体突起由含有0.5～5％的Pd和剩下的部分实质上为金的金属构成，上述接合部分具有合金层。7.权利要求4到6中的任何一项所述的半导体装置，其特征是通过控制上述Cu的添加量和上述Pd的添加量，延长工作时的上述半导体芯片的结温在100～200℃的范围中的上述半导体芯片的高温工作寿命。8.一种混合集成半导体装置，其特征是用权利要求5到7之内的任何一项所述的半导体装置，做成了多个上述半导体芯片。9.一种通过在半导体芯片上形成的含铝电极电连导体突起...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木功一，佐藤定信，山下由美子，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]