【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有倒装晶片的半导体器件，一种制造该器件的方法，一种用于该器件的布线板。为了制造更小尺寸的电子器件，电子元件被制造得越来越小，而且保持了其高性能和高集成度。半导体器件(电子器件的一种)通常用树脂封装。然而，目前，一种裸芯片(未用树脂封装的芯片)被直接加入布线板中，以便制造更小尺寸的半导体芯片。使用裸芯片的半导体器件的实例之一在附图说明图1中示出。所示的半导体器件包括一个半导体晶片1，一个连接半导体晶片1的布线板5，和一个夹在半导体晶片1与布线板5之间以加强其结合的树脂层8。半导体晶片1包括一个半导体基片2，它包含若干个互连的(从而)构成电子线路的半导体元件(未示出)；一个在半导体基片2的主表面形成的绝缘膜(未示出)；在绝缘膜被部分清除的区域形成的并与半导体元件电连接的底电极3；和在底电极3上形成的突出电极4。底电极3通常由铝制成。突出电极4采用电镀、蒸发等手段通过金粉层的淀积形成；或者通过球焊方法形成。这种球焊方法是金线在电极的端点处熔化以形成金球，该金球在具有表面张力的端点的电极上被压扁，然后削去金线，使被压扁的金球留在该电极上。布线板5...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：（ａ）一个在其表面上具有若干个突出电极的半导体晶片；（ｂ）一个在其表面上具有若干焊盘电极的布线板，当所述的布线板与所述的半导体晶片连接时每一个所述的焊盘电极与相应的一个所述的突出电极啮合；和（ｃ）一个夹在所述的半导体晶片与所述的布线板之间的使其相互连接的树脂层，其特征在于每个所述的突出电极与突出部和适于突出部安装的凹槽或通孔的一个一同形成，所述的焊盘电极和另一个一同形成。
【技术特征摘要】
JP 1997-2-21 37476/971.一种半导体器件，包括(a)一个在其表面上具有若干个突出电极的半导体晶片；(b)一个在其表面上具有若干焊盘电极的布线板，当所述的布线板与所述的半导体晶片连接时每一个所述的焊盘电极与相应的一个所述的突出电极啮合；和(c)一个夹在所述的半导体晶片与所述的布线板之间的使其相互连接的树脂层，其特征在于每个所述的突出电极与突出部和适于突出部安装的凹槽或通孔的一个一同形成，所述的焊盘电极和另一个一同形成。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的突出电极通过把金线端部形成的熔化球挤压在所述的半导体晶片上形成，所述的突出部在所述的突出电极上形成，所述的突出部包括所述的金线被切割时留在所述的突出电极上的所述金线的端部和从所术金线的所述端部伸出的一小段线。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的凹槽或通孔具有一个用于加强所述的突出部与所述的凹槽或通孔之间啮合的变形部分，所述的变形部分在所述的突出部装入所述的凹槽或通孔后形成。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体器件，进一步包括一个在所述的凹槽或通孔的内表面上形成的加强层。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于所述的加强层由比制造所述的突出电极或所述的焊盘电极的材料硬的金属材料制成，所述的加强层和凹槽或通孔一起形成。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于所述的加强层由若干个层组成。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于至少所述的若干层的最内层由比制造所述的突出电极或所述的焊盘电极的材料硬的金属材料制成，其若干层的一个与凹槽或通孔一同形成。8.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤(a)在半导体晶片的表面上形成若干个突出电极，每个所述的突出电极与突出部和突出部能够装入的凹槽或通孔的一个一同形成；(b)在布线板上形成若干个焊盘电极，当所述的布线板与所述的半导体晶片啮合时每个所述的焊盘电极与相关的一个所述的突出电极啮合，每个所述的焊盘电极与突出部和凹槽或通孔的另一个一起形成；(c)连接所述的半导体晶片和所述的布线板以使所述的突出部装入所述的凹槽或通孔中；和(d)在所述的半导体晶片与所述的布线板之间形成树脂层。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于在所述步骤(a)中通过把在金线端部形成的熔化球挤压到所述的半导体晶片上形成突出电极，通过切割所述的金线，使所述的金线的端部和从金线端部伸出的一小段线留在所述的突出电极上在所...
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