具有金属-绝缘体-金属电容的半导体器件制造技术

一种制造包括金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容器的半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一介质膜；在第一介质膜上形成ＭＩＭ电容器；形成覆盖ＭＩＭ电容器的第二介质膜；选择性除去第一和第二介质膜，暴露衬底表面；利用盐酸进行表面处理；在第二介质膜和衬底上形成第三介质膜；及在第三介质膜上形成晶体管。第二介质膜保护ＭＩＭ电容器的电容绝缘膜。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的半导体器件，所说电容器具有用于微波范围的高电容率膜，还涉及制造这种半导体器件的方法。众所周知，MIM电容器具有高电容率膜，即具有高介电常数的薄膜，例如由BaTiO3、SrTiO3、(SrxBa1-x)TiO3、PbTiO3、Pb(ZrxTi1-x)O3、SrBi2Ti2-xNbxO9构成的薄膜，并且优点是每单位面积具有较高的电容。MIM电容器一般用于例如存储器等高密度集成电路，用于微波范围。例如“IBM Joumal ofResearch and Development”,Nov.1969,pp686-695报道了这种具有SrTiO3膜的电容器。据报道，除此之外，因为溅射的SrTiO3和(SrxBa1-x)TiO3膜可以在作为GaAs衬底分解温度的650℃以下形成，所以这些膜尤其有用。制造具有MIM电容器和FET或有源元件的半导体器件的常规工艺一般包括在形成具有下电极、电容绝缘膜和上电极的MIM电容器后形成FET或有源元件的步骤。某些情况下，在形成FET或双极晶体管前，可能要形成为在其上形成互连所需要的附加处理膜例如绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；位于所说衬底上的金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容器，该电容器有下电极、电容器绝缘体和上电极；覆盖所说ＭＩＭ电容器的第一介质膜，具有从所说下电极边缘突起的边缘；形成于所说第一介质膜和所说衬底上的第二介质膜，所说第二介质膜具有用于暴露部分所说衬底的第一开口；及具有通过所说第一开口与部分所说衬底接触的电极的晶体管。

【技术特征摘要】
JP 1997-5-30 142178/971．一种半导体器件，包括衬底；位于所说衬底上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，该电容器有下电极、电容器绝缘体和上电极；覆盖所说MIM电容器的第一介质膜，具有从所说下电极边缘突起的边缘；形成于所说第一介质膜和所说衬底上的第二介质膜，所说第二介质膜具有用于暴露部分所说衬底的第一开口；及具有通过所说第一开口与部分所说衬底接触的电极的晶体管。2．如权利要求1的半导体器件，还包括设置于所说下电极和所说衬底间的第三介质膜，所说第三介质膜具有基本上与所说第一介质膜的边缘齐平的边缘。3．如权利要求2的半导体器件，还包括位于所说第二介质膜上的互连层，其中所说上电极在所说第三介质膜上有焊接区，所说互连层通过通孔直接与所说焊接区接触。4．如权利要求1的半导体器件，还包括第三介质膜，该膜具有与所说电容绝缘膜和覆盖所说第二介质膜的互连层的上部齐平的上部，其中所说上电极在所说第三介质膜上有焊接区，所说互连层通过通孔直接与所说焊接区接触。5．如权利要求1的半导体器件，其中所说第一介质膜由SiNx构成。6．一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤形成位于衬底上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村武史，岩田直高，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]