【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存贮单元装置，它具有若干设置在半导体基片上的铁电存贮单元(铁电存贮器(FeRAM))或具有介电存贮单元的自由选择存贮的非易失存贮器(NVRAM或DRAM)，本专利技术还涉及一种相应的制造方法。在此，应该广义地理解半导体基片，就是说，它应该被理解为晶基片、外延生长基片、槽式基片等等。虽然本专利技术适合于任何基质材料的存贮器，但在此就一种硅基存贮器对本专利技术及以其为基础的问题进行解释。一般来说，DRAM存贮器由存贮单元装置构成，该存贮单元装置的各存贮单元具有一个选择晶体管和一个与该晶体管联接的电容器。而ROM存贮器只有一个晶体管作为存贮单元。首先，这种存贮单元装置建立在平面方案基础上。由于要求越来越大的排列密度，目前已经建议将其用于掩膜型只读存贮器，存贮器的单元平面通过加入平行的纵向沟槽而形成折皱，从而使晶片表面上的单元表面的设计可减小至50％。在DRAM中，尤其是知道了按照象沟槽式或叠片式电容器这样的电容器形式充分利用了垂直方向。存贮器技术的一般目的是形成1-晶体管单元，这种单元明显小于8F2，其中F是有关技术的最小结构尺寸。迄今为之，多数...
【技术保护点】
一种具有设置在半导体基片（１０）上的很多铁电或动态存贮单（Ｓ）的存贮单元装置，具有在半导体基片（１０）的主平面上纵向延伸的交替的沟槽（１ａ－１ｅ）和隔片（２ａ－ｄ）；其中， 在隔片（２ａ－ｄ）中埋入沟道隔断层（２０），半导体基片（１０）分为一包括沟槽底部在内的下部区域（１０ａ）和一包括隔片顶部在内的上部区域（１０ｂ）； 在半导体基片（１０）的下部区域（１０ａ）内沿着沟槽底部设置第一平面选择晶体管（Ｔ１），这些晶体管之间是沟槽沟道隔断区域（２２）； 在半导体基片（１０）的上部区域（１０ｂ），沿隔片顶部设置第二平面选择晶体管（Ｔ２），这些晶体管之间设置隔片沟道...
【技术特征摘要】
DE 1998-9-24 19843979.21.一种具有设置在半导体基片(10)上的很多铁电或动态存贮单(S)的存贮单元装置，具有在半导体基片(10)的主平面上纵向延伸的交替的沟槽(1a-1e)和隔片(2a-d)；其中，在隔片(2a-d)中埋入沟道隔断层(20)，半导体基片(10)分为一包括沟槽底部在内的下部区域(10a)和一包括隔片顶部在内的上部区域(10b)；在半导体基片(10)的下部区域(10a)内沿着沟槽底部设置第一平面选择晶体管(T1)，这些晶体管之间是沟槽沟道隔断区域(22)；在半导体基片(10)的上部区域(10b)，沿隔片顶部设置第二平面选择晶体管(T2)，这些晶体管之间设置隔片沟道隔断区域(24)；第一和第二选择晶体管(T1、T2)分别具有源-，栅-，沟道-和漏极区，它们沿纵向彼此错位，使得在半导体基片(10)的主平面上，第一和第二选择晶体管(T1、T2)的源-和漏极区(582、551)沿横向交错分布；绝缘的字线(61-64)沿着半导体基片(10)的主平面在横向上延伸，以控制在各栅区域的第一和第二选择晶体管(T1、T2)；绝缘的位线(91-94)沿半导体基片(10)的主平面在倾斜的方向上延伸，以连接在各源区域(80)的第一和第二选择晶体管(T1、T2)；各存贮单元具有一个优选为铁电的电容器，各电容器通过一电容器接点(70)与所涉及的选择晶体管(T1、T2)的的漏极区连接。2.根据权利要求1的存贮单元装置，其特征在于，沿着沟槽壁设置绝缘垫片(40a-h)，这些绝缘垫片优选为氮化物或氧化物。3.根据权利要求2的存贮单元装置，其特征在于，沟槽(1a-c)比隔片(2a-d)宽出绝缘垫片(40a-h)的厚度。4.根据前述任一权利要求的存贮单元装置，其特征在于，沿着字线(61-64)和/或位线(91-94)设置优选为氮化物或氧化物的绝缘垫片。5.根据前述任一权利要求的存贮单元装置，其特征在于，沟槽(1a-c)中注入一绝缘层，各第一接触插头穿过该绝缘层，以便将第一选择晶体管(T1)与位线(91-94)连接起来。6.根据前述任一权利要求的存贮单元装置，其特征在于，隔片(2a-d)与一绝缘层重叠，各第二接触插头穿过该绝缘层，以便使第二选择晶体管(T2)与位线(91-94)连接。7.根据前述任一权利要求的存贮单元装置，其特征在于，在字线(61-64)与位线(91-94)上设置另一绝缘层，并各设置一叠层电容，叠层电容通过相应的电容接点(70)与所涉及的选择晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：T施勒瑟尔，F霍夫曼，W克劳特施奈德，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。