集成电路中的似电容元件制造技术

本申请涉及保护性陶瓷材料在集成电路中的应用。使用保护性陶瓷材料作为ＦＰＧＡ、ＰＲＯＭ、ＤＲＡＭ和超导电路的绝缘材料有很多好处。保护性陶瓷材料能致密地覆盖金属表面并没有缺陷，因此可以提高成品率。Ｐｉｌｌｉｎｇ－Ｂｅｄｗｏｒｔｈ比是鉴定绝缘材料有无保护性的很好判据。Ｐｉｌｌｉｎｇ－Ｂｅｄｗｏｒｔｈ比需大于１，最好小于２。使用多层保护性陶瓷材料可以更加减少缺陷密度并改善成品率。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请是与申请日为1996年10月17日、申请号为08/731,696的美国专利申请相应的中国申请。本专利技术属于集成电路领域，更确切地说，是关于保护性陶瓷材料在如下领域中的应用，包括场编程门阵列(FPGA)和可编程只读存储器(PROM)中的反熔丝(antifuse)、动态随机存取存储器(DROM)的存储电容、超导电路中的约瑟夫逊(Josephson)结等似电容元件。反熔丝(antifuse)是一个场编程门阵列(FPGA)、可编程只读存储器(PROM)等使用的场编程元件。它的结构和电容的结构类似有两个电极和一夹在两个电极之间的绝缘膜。该绝缘膜也被称为反熔丝膜，它使反熔丝在编程前处于一个高电阻的OFF态，在加上一个编程电压和电流之后，反熔丝被编程到它的ON态，并显示低电阻，从而导致两个电极之间的电导通。反熔丝的绝缘材料被称作反熔丝材料，它是反熔丝技术成功的关键。在一个FPGA或PROM中有上百万个反熔丝，它们都应表现出相似的特征，譬如说，未编程的反熔丝有小的漏电流。如果一个未编程的反熔丝中的漏电流大到使两个电极像导通一样，这个FPGA或PROM就会展示一个错误的逻辑功能，从而导致成品率降本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路中的似电容元件，包括：一由导体构成并具有一上表面的第一底电极、一由导体构成的第二顶电极，以及一位于所述第一底电极和第二顶电极之间的绝缘膜，其特征在于：所述绝缘膜含有至少一层保护性陶瓷材料，该陶瓷材料是由至少一种金属元素与碳、氮、氧、磷和硫中的至少一种非金属元素之间的化合物组成的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1．一种集成电路中的似电容元件，包括一由导体构成并具有一上表面的第一底电极、一由导体构成的第二顶电极，以及一位于所述第一底电极和第二顶电极之间的绝缘膜，其特征在于所述绝缘膜含有至少一层保护性陶瓷材料，该陶瓷材料是由至少一种金属元素与碳、氮、氧、磷和硫中的至少一种非金属元素之间的化合物组成的。2．根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于所述保护性陶瓷材料的Pilling-Bedworth比大于1。3．根据权利要求2所述的似电容元件，其特征在于所述保护性陶瓷材料的Pilling-Bedworth比小于2。4．根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于所述保护性陶瓷材料是金属氧化物。5．根据权利要求4所述的似电容元件，其特征在于所述金属氧化物是Be、Cu、Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Pb、Ce、Sc、Zn、Zr、La、Y、Nb、Rh和Pt中至少一种元素的氧化物。6．根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于所述保护性陶瓷材料是金属氮化物。7．根据权利要求6所述的似电容元件，其特征在于所述金属氮化物是Ti、V、Cr、Fe、Cu、Zn、Zr、Nb、Ta、Al和Ge中的至少一种元素的氮化物。8．根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于所述保护性陶瓷材料是金属碳化物。9．根据权利要求8所述的似电容元件，其特征在于所述金属碳化物是Ti、Si、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、La、Hf、Ta、W和Al中的至少一种元素的碳化物。10．根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于所述保护性陶瓷材料是金属磷化物。11．根据权利要求10所述的似电容元件，其特征在于所述金属磷化物是Ti、Fe、Co、Ni、Cu、Cd和Sn中至少一种元素的磷化物。12．根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于所述保护性陶瓷材料是金属硫化物。13．根据权利要求12所述的似电容元件，其特征在于所述金属硫化物是Cu、Ag、In、Sn、Tl、Pb和Bi中的至少一种元素的硫化物。14．根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，
申请(专利权)人：张国飙，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]