双向功率半导体元件制造技术

形成一种能双向导通和关断的功率半导体元件，其中第一和第二晶闸管极性相反地串联连接，每个单元中的二极管与晶闸管反接。两个门极相互连接并形成公用的控制部分。以这种方式形成的元件可以集成在一个共同的管壳中。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电力电子学领域。本专利技术基于权利要求1的说明部分中所要求保护的双向功率半导体元件。为了达到“理想开关”的目标，需要得到一种功率半导体开关，能双向导通和关断，并容纳在一个管壳中，仅有一个控制连接部分，因此从外部可以认为是一个整个元件。一般来说，可以两种方式制造双向功率半导体元件一方面，两个反接的晶闸管容纳在一个共同的管壳内或甚至在一个共同的半导体晶片上。德国公开说明书DE 44 39 012采用了这种措施。然而，这种解决方法的缺点是需要两个分离的控制连接部分，由此需要两个相互独立的驱动单元。此外，不可能客观地和相互独立地优化元件的操作参数。另一方面，对于双向晶闸管，即双向地导通和关断并且只有一个控制连接部分的晶闸管已公知很长时间了。然而，作为不可能获得高阻断容量(极限约1KV)或高载流容量(最大约10A)的事实的结果，它的工作范围受到物理极限的限制。因此，双向晶闸管不适合高功率的应用。然而，对于例如很小型的有源逆变器的结构，特别是对于冷却和夹紧系统，它的基本特性，也就是说双向导通和关断的能力以及仅有一个控制连接部分具有重要的意义。因此，本专利技术的一个目的是提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向功率半导体元件（１），包括至少一个第一和一个第二晶闸管（２），每个晶闸管具有一个阴极（５）、一个阳极（４）和一个门极（６），其中晶闸管（２）以相反极性地串联连接，由此晶闸管的阴极（５）相连，其中每个单元中的二极管（３）与晶闸管反接，其中晶闸管的门极（６）相互电连接并形成公用的控制连接部分（７）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 1997-9-9 19739381.01．一种双向功率半导体元件(1)，包括至少一个第一和一个第二晶闸管(2)，每个晶闸管具有一个阴极(5)、一个阳极(4)和一个门极(6)，其中晶闸管(2)以相反极性地串联连接，由此晶闸管的阴极(5)相连，其中每个单元中的二极管(3)与晶闸管反接，其中晶闸管的门极(6)相互电连接并形成公用的控制连接部分(7)。2．根据权利要求1所要求的元件，其中晶闸管的相互连接的阴极(5)形成辅助的阴极连接部分(14)。3．根据权利要求1或2所要求的元件，其中晶闸管具有非对称的阻断特性。4．根据以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：E拉梅扎尼，J沃尔德迈耶，
申请(专利权)人：亚瑞亚勃朗勃威力有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]