采用无缝存储元的三维只读存储器制造技术

本发明专利技术提出一种采用无缝存储元的三维只读存储器（３Ｄ－ＲＯＭ）。该无缝存储元的工艺流程中，３Ｄ－ＲＯＭ膜以及至少与之相邻的部分底电极和部分顶电极是以一种无缝的形式形成的：在这些工艺步骤之间没有图形转换，故不会对顶界面和底界面引入杂质。无缝存储元能提高３Ｄ－ＲＯＭ的成品率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，更确切地说，涉及三维只读存储器的设计，
技术介绍
三维集成电路(简称为3D-IC)将一个或多个三维集成电路层(简称为3D-IC层)在垂 直于衬底的方向上相互叠置在衬底上。3D-IC可以具有多种功能，如模拟功能、数字功能、 存储器功能等，由于存储器具有纠错能力，它能容忍较大的缺陷密度；且其功耗低，不存在 散热问题，故存储器尤其适合于三维集成。三维存储器(3-dimensional memoiy,简称为3D-M)将一个或多个存储层在垂直于衬底 的方向上相互叠置在衬底电路上。如图1A所示，3D-M含有至少一个叠置于半导体衬底0s 上的三维存储层100，每个三维存储层(如100)上有多条地址选择线(包括字线20a和位线 30a)和多个三维存储元，即3D-M元(laa…)。衬底Os上有多个晶体管。接触通道口(20av、 30av…)为地址选择线(20a、 30a…)和衬底电路提供电连接。3D-M可以分为三维随MM 储器(3D-RAM)和三维只读存储器(3D-ROM)。 3D-RAM元的电路与常规RAM元类似，只是 它一般由薄膜晶体管lt构成(图IB) , 3D-R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用无缝存储元的三维只读存储器，其特征在于含有：　一衬底；　多个叠置在衬底上的只读存储层，所述只读存储层通过多个接触通道口与衬底实现电连接；　至少一个存储层含有多个无缝存储元，每个无缝存储元含有：　第一和第二导体 ；　一位于该第一和第二导体之间的准导通膜，电流在不同方向上通过该准导通膜时其电阻不同；　该准导通膜与该第一和第二导体具有第一和第二界面，该第一和第二界面在制造过程中未暴露在刻蚀环境中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，
申请(专利权)人：张国飙，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]