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本发明提出一种采用无缝存储元的三维只读存储器（３Ｄ－ＲＯＭ）。该无缝存储元的工艺流程中，３Ｄ－ＲＯＭ膜以及至少与之相邻的部分底电极和部分顶电极是以一种无缝的形式形成的：在这些工艺步骤之间没有图形转换，故不会对顶界面和底界面引入杂质。无缝存储...
该专利属于张国飙所有，仅供学习研究参考，未经过张国飙授权不得商用。

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