温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造包括金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容器的半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一介质膜；在第一介质膜上形成ＭＩＭ电容器；形成覆盖ＭＩＭ电容器的第二介质膜；选择性除去第一和第二介质膜，暴露衬底表面；利用盐酸进行表面处理；在第二...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。