半导体器件的制造方法技术

一种制造半导器件的方法，包括下列步骤。先是在半导体衬底上形成第一布线层。再在半导体衬底上形成中层绝缘膜将第一布线层覆盖住。在中层绝缘膜上形成布线槽使其穿过中层绝缘膜中形成的一个接触孔，其深度达到使第一布线层外露的程度。在暴露在接触孔底部的第一布线层上淀积第一导电材料从而在接触孔中形成接点。腐蚀清除掉中层绝缘膜表面上在形成接点时由第一导电材料制成的岛。再将第二导电材料埋入布线槽中从而形成第二布线层与接点接触。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件形成布线层的一种制造方法。在衬底上形成多层结构时，各布线层必须扁平。在1996年金属化和互连系在超大规模集成电路(ULSI)中的应用科研报告集的一篇题为“铝的化学汽相淀积在互连和通道中的应用集成化综述”的报告(参考文献1)中所述的方法就概括了制取扁平布线层的操作法。现在参看图3A至3F说明参考文献1中所述的形成布线层的方法。如图3A中所示，在半导体衬底301上通过绝缘膜302形成下铝布线层303，再在绝缘膜302上形成中层绝缘膜304将下布线层303覆盖住。如图3B中所示，在中层绝缘膜304预定的位置形成接触孔305，供电连接下布线层303用。布线槽306穿过接触孔305在中层绝缘膜304中形成。清除接触孔305底部外露的下布线层303表面上原有的氧化膜。在清除氧化膜的过程中，将接触孔305的底部暴露在氯气为主的气体等离子体中。等离子体是通过向压力达3毫乇左右的真空室中以10sccm的流速通入氯气，以50sccm的流速通入氩气，再以20瓦的输出往真空室施加13.56兆赫的射频产生的。如图3C中所示，铝层307有选择地淀积在接触孔305底部外露的下布线层3本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造半导体器件的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：在半导体衬底（１０１）上形成第一布线层（１０３）；在所述半导体衬底上形成中层绝缘膜（１０４）将所述第一布线层覆盖住；在所述中层绝缘膜上形成布线槽（１０６）使其穿过所述中层绝缘 膜上形成的接触孔（１０５），布线槽（１０６）的深度达到使所述第一布线层外露的程度；在接触孔中形成接点（１０７），方法是在接触孔底部外露的所述第一布线层上淀积第一导电材料；腐蚀清除掉所述中层绝缘膜表面上在形成接点时形成的由第一导电材料 制成的诸岛；将第二导电材料埋入布线槽中从而形成第二布线层（１１０）与接点接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-5-28 138483/971.制造半导体器件的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤在半导体衬底(101)上形成第一布线层(103)；在所述半导体衬底上形成中层绝缘膜(104)将所述第一布线层覆盖住；在所述中层绝缘膜上形成布线槽(106)使其穿过所述中层绝缘膜上形成的接触孔(105)，布线槽(106)的深度达到使所述第一布线层外露的程度；在接触孔中形成接点(107)，方法是在接触孔底部外露的所述第一布线层上淀积第一导电材料；腐蚀清除掉所述中层绝缘膜表面上在形成接点时形成的由第一导电材料制成的诸岛；将第二导电材料埋入布线槽中从而形成第二布线层(110)与接点接触。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成布线槽的步骤包括下列步骤在所述中层绝缘膜上形成接触孔(105)，接触孔的深度达到所述第一布线层表面外露的程度；形成布线槽(106)使其穿过所述中层绝缘膜中的接触孔。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成布线槽的步骤包括下列步骤形成布线本身(106)使其部分重叠所述中层绝缘膜中的所述第一布线层；和在布线槽重叠所述第一布线层的位置形成接触孔(105)，使接触孔(105)的深度达到所述中层绝缘膜中所述第一布线层表面外露的程度。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述岛的清除步骤包括将所述中层绝缘膜的包括接点...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅井和己，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]