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一种制造半导器件的方法，包括下列步骤。先是在半导体衬底上形成第一布线层。再在半导体衬底上形成中层绝缘膜将第一布线层覆盖住。在中层绝缘膜上形成布线槽使其穿过中层绝缘膜中形成的一个接触孔，其深度达到使第一布线层外露的程度。在暴露在接触孔底部的第...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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