【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，在对半导体器件的离子注入过程模拟中，实现包含末端部分的离子注入剖面的正确内插和外插。在LSI和其他的半导体器件的制造工序中，具有这样的工序通过离子注入技术把杂质离子作为掺杂剂注入到半导体衬底中，进而经过热处理工序来进行扩散激活。此时的杂质分布，使阈值电压Vt和晶体管的ON电流以及其他的电气特性参数发生较大的变化，这是公知的。特别是，在最近，为了通过把半导体器件进行小型化来达到高密度大容量化和高速化，而使得更浅的接合深度的晶体管的设计变得重要起来。即，不仅要求杂质的峰值浓度的控制是正确的，而且还要求离子注入剖面的末端位置的控制是正确的。为了对应于该要求，而采用使用计算机的离子注入过程模拟。这是这样的方法在计算机中使用预定的模型和算法来预测计算在半导体器件的制造中所使用的各种离子注入剖面。通过使用离子注入过程模拟就能削减用于提高半导体器件的元件特性的试验制作的工序，而大大有助于设计作业的效率。通常，在对离子注入剖面进行模拟时，当为非晶态晶体时，使用高斯型(Gaussian)或皮尔森型(Pearson)的函数来描述离子注入剖面可以得到令人满意的近似...
【技术保护点】
一种离子注入过程模拟装置，进行对半导体器件的离子注入过程模拟，以进行对离子注入剖面的必要的内插和外插，包括下列部分：数据抽出装置（１０），从离子注入剖面数据中取出分别代表非晶态成分和沟道效应成分的两个标准化的函数中的投影范围、偏差、偏斜 度、峰态等各个瞬间参数以及非晶态成分剂量值系数、沟道效应成分剂量值系数，来制作数据表（１１）；内插用数据取得装置（２０），从由上述数据抽出装置（１０）所制作的上述数据表（１１）来取得用于剂量系数的内插和外插的参数；剂量系数内插／外插 装置（３０），在由上述内插用数据取得装置（２０）所取得的参数中，使用分别代表非晶态成分、...
【技术特征摘要】
JP 1997-2-27 044030/971.一种离子注入过程模拟装置，进行对半导体器件的离子注入过程模拟，以进行对离子注入剖面的必要的内插和外插，包括下列部分数据抽出装置(10)，从离子注入剖面数据中取出分别代表非晶态成分和沟道效应成分的两个标准化的函数中的投影范围、偏差、偏斜度、峰态等各个瞬间参数以及非晶态成分剂量值系数、沟道效应成分剂量值系数，来制作数据表(11)；内插用数据取得装置(20)，从由上述数据抽出装置(10)所制作的上述数据表(11)来取得用于剂量系数的内插和外插的参数；剂量系数内插/外插装置(30)，在由上述内插用数据取得装置(20)所取得的参数中，使用分别代表非晶态成分、沟道效应成分的两个标准化的函数和与该两个函数相对应的非晶态成分剂量系数及沟道效应成分剂量系数，通过该两个函数的线性结合来表述半导体晶体衬底中的离子注入剖面，同时，在表述由使用者所指定的剂量值的上述离子注入剖面时，使用多个剂量值中的不依赖于从离子注入剖面所抽出的剂量的瞬间参数和依赖于剂量的上述线性结合的系数，使上述沟道效应成分剂量系数的对数值对全剂量值的对数值进行内插和外插；模拟结果输出装置(40)，输出由上述剂量系数内插/外插装置(30)而对剂量系数进行内插和外插的模拟结果。2.根据权利要求1所述的离子注入过程模拟装置，其特征在于，上述剂量系数内插/外插装置(30)，对于任意的剂量值DT，a，在提供用于进行内插和外插的两点的剂量值DT，i、DT，i+1中的离子注入剖面的瞬间数据和非晶态成分剂量及沟道效应成分剂量系数Dmain，i、Dsub，i、Dsub，i+1时，使用下式来计算任意的剂量值DT，a中的非晶态成分剂量系数和沟道效应成分剂量系数Dmain，a、Dsub，aDsub,a=(logDT,i+1-logDT,a)Dsub,i+(logDT,a-logDT,i)Dsub,i+1(logDT,i+1-logDT,i)]]>Dmain，a＝DT，a-Dsub，a。3.根据权利要求1所述的离子注入过程模拟装置，其特征在于，剂量系数内插/外插装置(30)，在实验地抽出的瞬间参数依赖于剂量值的情况下，进一步使依赖于上述剂量值的瞬间参数对全剂量的对数值进行内插和外插。4.根据权利要求1所述的离子注入过程模拟装置，其特征在于，上述剂量系数内插/外插装置(30)，对于任意的剂量值DT，a，在提供用于进行内插和外插的两点的剂量值DT，i、DT，i+1中的离子注入剖面的瞬间数据和非晶态成分剂量及沟道效应成分剂量系数Dmain，i、Dsub，i、Dsub，i+1时，使用下式来计算任意的剂量值DT，a中的非晶态成分剂量系数和沟道效应成分剂量系数Dmain，a、Dsub，aDsub,a=(logDT,i+1-logDT,a)Dsub,i+(logDT,a-logDT,i)Dsub,i+1(logDT,i+1-logDT,i)]]>Dmain，a＝DT，a-Dsub，a在实验地抽出的瞬间数据依赖于剂量值的情况下，进一步，对于任意的剂量值DT，a，把用于进行内插和外插的2点的剂量值DT，i、DT，i+1中的依赖于剂量的瞬间参数分别定义为μm，i、μm，i+1，并且，使用下式来计算任意的剂量值DT，a中的瞬间参数μm，aμm,a=(logDT,i+1-logDT,a)μm,i+(logDT,a-logDT,i)μm,i+1(logDT,i+1-logDT,i).]]>5.一种离子注入过程模拟方法，进行对半导体器件的离子注入过程模拟，以进行对离子注入剖面的必要的内插和外插，包括下列步骤从离子注入剖面数据中取出分别代表非晶态成分和沟道效应成分的两个标准化的函数中的投影范围、偏差、偏斜度、峰态等各个瞬间参数以及非晶态成分剂量值系数、沟道效应成分剂量值系数，来制作数据表；从由上述数据抽出步骤所制作的上述数据表来取得用于剂量系数的内插和外插的参数；在由上述内插用数据取得步骤所取得的参数中，使用分别代表非晶态成分、沟道效应成分的两个标准化的函数和与该两个函数相对应的非晶态成分剂量系数及沟道效应成分剂量系数，通过该两个函数的线性结合来表述向半导体晶体衬底中的离子注入剖面，同时，在表述由使用...
【专利技术属性】
技术研发人员：麻多进，泽弘一，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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