制造含有ＭＯＳ（金属－氧化物－半导体）晶体管的半导体集成电路的方法，该方法制造的集成电路不会因放射性辐照而引起泄漏电流的增加，此方法中没有杂质从沟道阻挡层的横向扩散。该方法包括（ａ）借助于相对的高能量向场氧化薄膜的中心区域施加一种导电类...

一种制造半导体器件的步骤包括，用常压ＣＶＤ或低压ＣＶＤ而不用等离子体形成第一绝缘层（１７）覆盖住表面凸凹不平的半导体衬底；通过利用电子回旋共振的偏压等离子体ＣＶＤ工艺形成第二绝缘膜（１８）覆盖住第一绝缘层；采用化学机械抛光工艺平整第二绝...

在非单晶硅层（１２）上面形成的薄膜晶体管（１５），暴露在３００℃到４００℃氢等离子体（ＬＰＺ）辐射的氢离子（ＨＤ）中，以便钝化非单晶硅层中的陷阱能级，以后，在２００℃到３００℃氮气氛中退火薄膜晶体管，如从栅绝缘层（１３）中排除残留的氢，...

一种用于将包装体模封成型的模具组，该包装体包括一引线架（２２）和一装在引线架（２２）上的一半导体芯片（２１），并且引线架（２２）上有一孔。该模具组包括一上模（６）和一下模（７），而夹在上模（６）和下模（７）之间是一包装体。该下模包括一过...

本发明的方法是将第一导电型杂质注入同一导电型基片中，使在栅电极有侧壁氧化硅膜的ＭＯＳ晶体管中邻近第二导电型的源／漏区内侧边沿的限定位置处形成小型区。形成步骤为，在侧壁氧化硅膜选择性限定下，在源／漏区上形成的半导体外延层具有面对侧壁氧化硅...

胶带自动粘结式胶带包括：具有第一开孔（１ａ）的第一薄膜（１Ａ）；在第一薄膜上形成的至少一条信号线（２）；在第一薄膜上形成的至少一条地线（３）；其特点在于：具有第二开孔（１ｂ）的第二薄膜（１Ｂ）；第一薄膜位于第二开孔内；第三薄膜（１Ｃ）位...

在制造包括存储单元晶体管和外围晶体管的非易失半导体存储器的方法中，在半导体衬底上，形成存储单元晶体管的浮栅和控制栅，并形成外围晶体管的栅极。分别用第一和第二绝缘层覆盖控制栅和栅极。淀积导电层，以覆盖第一和第二绝缘层。深腐蚀导电层，直到暴...

第一塞（１７ａ／１７ｂ）从下层间绝缘层（１６′）伸出，以使之与在下层间绝缘层（１６′）上的中间层布线（１８ａ）的上表面共平面，在中间层布线（１８ａ）和第一塞（１７ｂ）上面的上层间绝缘层（２０）中没有过腐蚀地形成通孔（２０ａ／２０ｂ），从...

按芯片尺寸封装的半导体器件制造方法中器件包括半导体芯片和载带，所述载带包括绝缘膜和形成在绝缘膜一个面上的布线图形，方法包括用有按半导体芯片粘接面积的预定尺寸的粘接膜将半导体芯片与载带粘接的步骤。粘接步骤包括用冲切法从粘接膜带上切下粘接膜...

在制造多层互连结构中，在半导体衬底上的绝缘层上设置的互连线上设置绝缘膜，将其粘结在互连线上，使互连线间的所有空间都留作空闲空间。例如，绝缘膜为聚酰亚胺膜或氧化硅膜。空闲空间用于减小相邻互连线间电容量的目的。在绝缘膜中形成接触孔之后，用金...

一种制作半导体器件的方法，包括步骤：ａ．在半导体基底的上面形成一金属膜；ｂ．采用热处理方法处理基底使金属膜和硅起反应而在栅电极和源／漏区上形成金属硅化物薄膜；ｃ．将金属膜中尚未硅化的部分刻蚀掉；并再包括步骤ｄ．采用等离子体强化的化学汽相...

一种制造ＬＤＤ结构的ＭＯＳ晶体管和双极晶体管［或肖特基Ｓ ｃｈｏｔｔｋｙ）势至二极管（ＳＢＤ）］，在ＭＯＳ晶体管区和双极晶体管区（或ＳＢＤ）上面，形成栅绝缘层（８）。然后，在ＭＯＳ晶体管区上面，形成栅电极（Ｇ、Ｇ’）。在整个表面上面，...

本发明的目的是要提供一种能够通过提高用一个存储单元表示的状态的数目来提高存储单元的集成密度的非易失性半导体存储器件。本发明的非易失性半导体存储器件具有这样的结构：在一个有最小尺度的控制栅（５）下设置两个悬浮栅（３，４），两个悬浮栅中的每...

半导体存储器件包括：含有第二导电类型的源区和漏区（１０ａ，１０ｂ）的第一导电类型的半导体基片（１），和所形成的用来包围源区（１０ａ）的第二导电类型的轻掺杂区（８）；形成在半导体基片（１）上的浮栅（４）；和形成在浮栅（４）上的控制栅（６）...

在具有重复图形区的一种半导体器件中，在重复图形区重复排列着单一的布线图形并覆盖着由一层氧化硅膜和一层ＴＥＯＳＢＰＳＧ膜组成的多层绝缘膜，在重复图形区的边缘区的邻近区域内形成与布线图形导体同层形成的虚设导体。这样，定位在重复图形区边缘的最...

提供了一种电子束单元投影刻印装置，包括有一电子束源，一个使经过的电子束形成形状的第一孔径，一个按照所需转换图形开出窗口使电子束通过并射向一物体的第二孔径，以及一座可沿Ｘ和Ｙ轴方向移动的工作台，第二孔径置于工作台上，在工作台上有一对准标记...

一种形成半导体器件隔离膜的方法，先在衬底主表面上形成一层第一氧化膜和一层氮化膜。在第一氧化膜和氮化膜中形成有一对侧表面的窗孔露出主表面的一部分。形成第二氧化膜使其成对侧壁部分覆盖着成对窗孔侧表面和主表面露出部分的一对周边区，此一对周边区...

本发明提供一种包括下列部分的场效应晶体管。在半导体衬底上配置绝缘膜。第一和第二多晶硅膜，使第一多晶硅膜通过第二多晶硅膜连至半导体衬底的预定区域中的周边部分。选择地设置栅绝缘膜，它在半导体衬底除周边部分之外的预定区域上延伸，并在第二多晶硅...

制造在源／漏区中有低电阻率硅化物层的ＣＭＯＳ结构的半导体器件。为了减小ｎ－型源／漏区（１１２）的电阻率要形成硅化物层，在形成高熔点金属硅化物层（１１７）前，在其上形成未掺杂硅层（１１３）。通过硅层离子注入，形成ｎ－型源／漏区。这样便可获...

半导体芯片的成批处理的工件供给方法和装置，其中能优先处理具有较急交付日期的工件。分批控制部分的处理结束时间计算部分响应来自成批处理装置的处理开始报告查阅过去记录文件，以预测处理结束时间。工件取出部分查阅工序管理文件，以取出可以在预测的处...