一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含包括异质结的第Ⅲ族氮化物半导体层结构，形成在半导体层结构上同时彼此分开的源极电极和漏极电极，安排在所述源极电极和漏极电极之间的栅极电极，以及形成在所述第Ⅲ族氮化物半导体层上的绝缘膜，其中，栅极电极 ...

本发明提供一种六脚型压电振动陀螺仪，具有：从本体部（２）相互间隔地向第１方向（Ａ１）延长的一对激励用臂（３ａ、３ｂ）、在激励用臂间从本体部向第１方向延长的１个非激励用臂（３ｃ）、从本体部相互间隔地向第２方向（Ａ２）延长的一对检测用臂（４...

压电陶瓷传感器（１）具有上压电活性层（５）和下压电活性层（６）。上绝缘层（２）和下绝缘层（３）安排在压电陶瓷传感器（１）的其厚度方向上的两个表面，上绝缘层（２）和下绝缘层（３）之间放置有上压电活性层（５）和下压电活性层（６）。上绝缘层（...

在电路设计所要求的阈值相等的多个晶体管中，将初始阈值为所需阈值的可接受范围的下限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值增加的电路位置处，以及将初始阈值为所需阈值的可接受范围的上限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值减小的电路位置处。

提供一种光波导模块，包括：布线板（７）；光接收元件（９）与光波导衬底（１），其中光接收元件（９）与光波导衬底（１）位于该布线板（７）的两侧，布线板（７）插在两者中间。布线板（７）由以下构成：基本构件（５），其对于能够被光接收元件（９）接...

本发明提供一种半导体器件，其能够抑制电流崩塌且还能够防止电介质击穿电压和增益降低，从而可以进行高电压操作并实现理想的高输出。在基板（１０１）上，形成有：由第一ＧａＮ基半导体制成的缓冲层（１０２）、由第二ＧａＮ基半导体制成的载流子迁移层（...

端子焊盘被形成在ＬＳＩ芯片的有效面上，并且复合阻挡金属层被提供在该端子焊盘上。由硅树脂构成的多个低弹性颗粒分散在由ＮｉＰ构成的金属基相中。复合阻挡金属层的膜厚度例如为３μｍ，并且低弹性颗粒的直径例如为１μｍ。通过将焊块键合到复合阻挡金属...

根据本发明的开关装置包括：包含氧化钛的离子传导层２３；以与离子传导层２３相接触的方式提供的第一电极２１；和以与离子传导层２３相接触的方式提供的第二电极２２，并且该第二电极２２可以向离子传导层２３提供金属离子。

电子供给层（１３）与沟道层（１２）形成异质结且包含Ｉｎ↓［ｚ］Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｚ－ｘ］Ｎ，其中０≤ｚ＜１，０＜ｘ＜１和０＜ｘ＋ｚ＜１。在电子供给层（１３）上，与电子供给层（１３）接触形成栅电极（１７）。在电子供给层（１３）和沟道...

一种确保微小通路下的连接可靠性的可靠性高的半导体装置及其制造方法，半导体装置具备：半导体基板（１１）；配置在半导体基板（１１）上，并且具有至少１个以上的第１布线层、至少１个以上的第１绝缘层及第１通路的第１布线构造体（１２）；配置在第１布...

本发明提供一种第Ⅲ族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应（载流子限制）以改善夹断特性（以抑制短沟道效应）。例如，在将本发明应用于ＧａＮ型...

一种电子器件封装，包括：　在其中包括布线图形的柔性内插器基板；　安排在所述内插器基板上的至少一个电子器件；以及　类似地安排在所述内插器基板上的插入基板，其中　加强构件被布置在与电子器件和插入基板之间的间隙对应的内插器基板的区域中以增加布...

本发明的示例性方面为一种光接收元件，包括：衬底、衬底表面上吸收光的光接收器、以及将从衬底侧面进入的光反射到光接收器的反射器，其中在平行于所述衬底表面的截面中，所述反射器的反射表面向所述衬底侧面倾斜。

一种场效应晶体管（１００）包括包含异质结的Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构；彼此分离地形成在所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构上的源电极（１０５）和漏电极（１０６）；栅电极（１１０），其布置在所述源电极（１０５）和所述漏电极（１０６）之间；以及绝...

公开了一种ＨＪＦＥＴ　１１０，其包括：由Ｉｎ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ（０≤ｙ≤１）构成的沟道层１２；由Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０≤ｘ≤１）构成的载流子供应层１３，所述载流子供应层１３提供在所述沟道层１２上方并且包括至少一个ｐ型...

本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图６（１）中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图６（２）中所示，在凹形顶端...

本发明提供一种多晶半导体薄膜的制造方法，包括：半导体膜形成步骤，在基板上形成具有热容量大的大热容量部分和热容量小的小热容量部分的非单晶半导体薄膜；以及退火步骤，向所述非单晶半导体薄膜照射所述小热容量部分完全熔化而所述大热容量部分不完全熔...

光电二极管的高光接收灵敏度和高速被同时实现。所述光电二极管设置有半导体层（１）和一对金属电极（２），所述金属电极（２）以间隔（ｄ）设置在半导体层（１）的表面上，并且形成ＭＳＭ结。所述间隔（ｄ）满足关系λ＞ｄ＞λ／１００，其中λ是入射光的...

本发明提供一种不产生大型化、密封不良及功能不良且实现高真空的真空包装及其制造方法。真空包装（１００）具备：真空密封于室（６）内的红外线受光元件（１）和形成室（６）的红外线透过窗（１２）、间隔件（９）及受光元件基板（３）。红外线透过窗（１...

公开了一种开关元件，该开关元件利用了电化学反应来操作，并包括：离子传导层（５４），能够传导金属离子；第一电极（４９），布置成与离子传导层接触；第二电极（５８），用于向离子传导层提供金属离子。该开关元件的特征在于包含比第二电极更易于被氧化...