本发明提供一种半导体基片的清洗方法。在将纯水加入清洗槽中之后，将氯气加入纯水中从而在纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子。然后，将半导体基片浸入含氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水中。本发明能够降低制造...

在一种制作半导体器件中的电容器的方法中，在半导体衬底上制作了一个隔离膜，并穿过此隔离膜制作了一个窗口。然后制作一个导电膜以覆盖窗口的侧壁表面和隔离膜的上表面，并对整个表面进行机械研磨以便选择性地清除隔离膜上表面上的导电膜，使导电膜只保留...

在一种制造半导体器件的设备中，在第一焊接后即将绝缘体喷涂到连续地由毛细管馈送的焊线上，以使用绝缘体涂敷焊线。在毛细管到达第二焊接位置之前即停止喷涂。然后，当毛细管到达第二焊接位置时进行第二焊接。

一个ＭＩＳ型场效应晶体管具有用硅化钛层（２６ａ）覆盖的源／漏区（２５ｅ），硅化钛层与埋入硅基片（２０）的被埋入置的绝缘结构２４相接，接触孔（２７ａ）在氧化硅的中间绝经级层２７中形成，中间绝缘层（２７）暴露一部分上氮化硅层（２３）和一部分...

在铝腐蚀后，将晶片（１１）在真空中，由铝腐蚀室传输，不接触大气地送入去胶室（１５）。输送晶片（１１）后，由阀门（３０ａ）将２００ｓｃｃｍ的ＣＨ↓［３］ＯＨ气输入，并将压力调节到１．２Ｔｏｒｒ；接着，施加４５０ｍＡ的微波流，由此产生等离子...

本发明的半导体晶片处理装置包含处理半导体晶片的Ｎ（大于１的正整数）个工艺腔；以彼此间隔３６０／Ｎ度环形均布，且被支撑起围绕一圆心旋转；至少一对将半导体晶片送进／出Ｎ个工艺腔之一中的彼此间隔３６０Ｍ／Ｎ度环形均布的晶片传递装置，其中１≤Ｍ...

在包含两个跨连的反相器的ＳＲＡＭ单元中，每个反射器有第一电阻元件（Ｒ↓［１］，Ｒ↓［２］）和激励ＭＯＳ晶体管（Ｑ↓［ｄ１］，Ｑ↓［ｄ２］），第二电阻元件（ｒ↓［１］，ｒ↓［２］）连接在第一电阻元件与激励ＭＯＳ晶体管之间。一个反相器的激励...

按照真空处理设备的清洗方法，在真空处理设备的处理室中，含有氯原子团的气体对形成于半导体基片上并覆盖有抗蚀图形的薄膜进行蚀刻，之后，在处理室中产生由混合气体稀释而成的稀释气体的等离子体，所述混合气体由含有氧原子团的气体、含有氟子团的气体和...

在输入保护电路中，双极型保护器件包括：第１导电类型的半导体衬底；第２导电类型的第１扩散层，它形成在衬底中并与第１信号接点相连；第２导电类型的第２扩散层，它形成在衬底中，并与第１扩散层相间隔地平行地延伸；第１导电类型的具有高杂质浓度的第３...

一种形成存储单元电容器的环形竖直延伸底电极的方法，包括：在层间绝缘体上形成导电膜；在膜上敷光致抗蚀剂材料，以形成光致抗蚀剂膜；用一掩模光刻使抗蚀剂膜构图，掩模包括透明板状基体和选择性地设在基体预定区域的相移膜，以在导电膜上形成环形竖直延...

本发明涉及一种制造栅电极的改进方案。在衬底表面制作第一和第二氧化物。第二氧化物顶面比第一氧化物顶面高出一个Ｈ的高度。由一层多晶硅膜和一层沉积在多晶硅膜上的硅化物膜组成的栅电极，使得经过平整的多晶硅膜平面高于第一氧化物顶面，但却低于第二氧...

本发明公开了一种通过对一层金属布线薄膜或者对由一层金属布线薄膜和一层金属势垒薄膜组成的叠层结构进行干法刻蚀从而在半导体衬底上形成金属布线的方法，它包括第一步对金属布线薄膜进行的刻蚀和第二步干法刻蚀对金属布线薄膜或金属势垒薄膜进行的再刻蚀...

一种半导体封装，它包括：矩形带薄膜，在带薄膜上形成的由导电材料的接线构成的接线图案，电连接到接线图案的一端的半导体芯片以及在接线图案的另一端形成的用于插入导针的孔，一种用于在接线衬底上堆积和固定多个半导体封装的方法，它包括以下步骤：首先...

一种半导体器件有一层属于一种导电类型的外延层形成在一块属于另一种导电类型的半导体衬底上，一层属于另一种导电类型的基区形成在外延层上，它从外延层的表面扩展至一预定的深度并包含内基区和外基区，一层属于一种导电类型的发射极区形成的内基区内，以...

在塑料模制ＩＣ组件中，在绝缘层（３）的第１表面上形成金属图形（２）的引线（１），在绝缘层的第２表面上，形成与半导体芯片（６）相连的导电图形（４）。穿过绝缘层的通孔，把导电图形连到引线上。

一种球网格阵列型半导体器件具有上部信号互连图形（１ａ）、置于绝缘基片（７）上表面上的半导体元件安装垫片（４）、和从垫片（４）向基片（７）的四个角的延伸图形（５）。由通孔（２）将上部信号互连图形（１ａ）连接到基片（７）下表面上的下部信号互...

本发明公开了一种可以被用作存贮单元的半导体器件，它包括一个电容器，一个波纹形电极被一个绝缘薄膜覆盖，并被用作电容器的下置电极，与一个上置电极相对。从剖面看，该叠层电极是由一系列水平地和竖直地交替叠在一起的折迭的部分界定的。具体而言，波纹...

一种曝光设备和方法，可优化光致抗蚀剂膜的曝光，而与光致抗蚀剂膜因曝光而发生的化学反应无关。利用第１光致抗蚀剂膜和第１半导体片测量最佳曝光，并将获得的数据存到存储器中，然后用相同的曝光对第２半导体片上的第２光致抗蚀剂膜曝光，测量开始曝光时...

一种设置在硅基片上带有双极元件部分和杂质扩散层形成的电阻元件部分的半导体器件的生产方法，具有：（ａ）在所述的硅基片上和在所述的基片整个表面上形成的组成元件上形成一第一氧化膜的步骤；（ｂ）有选择地依次除去对应于所述双极元件部分基极区和直接...

一种半导体器件，其存储单元区有具一定高度的组件，其外围电路区没有具一定高度的组件。第一部分有一个层间绝缘膜，其最上面的绝缘膜为第一层间膜。第二部分的层间绝缘层由所述第一层间膜和直接敷在该第一层间膜的第二层间膜组成，第二层间膜的抛光率大于...