半导体基片的清洗方法、清洗系统和制造清洗液的方法技术方案

本发明专利技术提供一种半导体基片的清洗方法。在将纯水加入清洗槽中之后，将氯气加入纯水中从而在纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子。然后，将半导体基片浸入含氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水中。本发明专利技术能够降低制造半导体器件的成本和减少对地球环境的污染。最好使溶解于纯水中的氯气量在０．００３％至０．３％的重量比范围内。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体基片清洗，特别涉及用于制造半导体器件的半导体基片的清洗方法、清洗系统和用于该方法的清洗液的制造方法。近来，随着半导体器件尺寸的减小和集成度地增加，在制造半导体器件中的制造工艺步骤之间清洗半导体基片表面以清除附着在其表面上的各种沾污已成为必不可少的步骤。为完成上述清洗工艺，采用如高清洁度的有机溶剂，强酸和强碱等化学制品进行湿式清洗处理。用这种处理方法，不可避免地在各个步骤中使用了大量的化学制品。例如，在清除半导体基片表面上的金属沾污的清洗工艺中，使用了大量的例如将盐酸(HCl)(重量比37％)与过氧化氢(H2O2)(重量比30％)和纯水以1∶1∶6的容积比混合制备的(称为“盐酸过氧化氢(HPM)混合剂)化学溶液。使用这样的高纯度和高浓度的化学制品严重地污染地球环境。并且，制造这些化学制品和处置由此产生的废料的成本非常高。因此，开始对消耗大量化学制品的湿式清洗处理方式进行重新评价。1981年出版的日本未审查专利公报第56-150818号披露了一种方法，其应用领域虽与本专利技术不同，但该方法不使用高浓度的化学制品就能清除在纯水供应管道系统中生长的细菌。在该方法中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基片的清洗方法，所说的方法包括步骤： 将纯水供给清洗槽； 将氯气加入所说的纯水中，从而在所说的纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子；和 在含所说的氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸离子的纯水中浸渍半导体基片。

【技术特征摘要】
JP 1995-3-30 72927/951.一种半导体基片的清洗方法，所说的方法包括步骤将纯水供给清洗槽；将氯气加入所说的纯水中，从而在所说的纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子；和在含所说的氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸离子的纯水中浸渍半导体基片，在所说的纯水中溶解的所说的氯气量在0.003wt％至0.3wt％的范围内。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于所说的供给所说的氯气的纯水的温度在0℃至70℃的范围内。3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于在浸渍所说的基片的所说步骤过程中，用紫外光照射所说的含所说氯离子，次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水。4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于通过离子交换树脂清除在所说纯水中含有的金属络合盐和氯。5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于在供给所说的纯水和所说的氯气的工艺过程中，屏蔽可见光和紫外光中至少一种对所说含氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水的照射。6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于在浸渍所说基片的工艺过程中加热所说的纯水。7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征是在浸渍所说基片的工艺过程的前、后冷却所说的纯水，以避免由于加热使所说...

【专利技术属性】
技术研发人员：白水好美，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]