场效应晶体管制造技术

一种场效应晶体管（１００）包括包含异质结的Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构；彼此分离地形成在所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构上的源电极（１０５）和漏电极（１０６）；栅电极（１１０），其布置在所述源电极（１０５）和所述漏电极（１０６）之间；以及绝缘层（１０７），其在所述栅电极（１１０）和所述漏电极（１０６）之间的区域内和在所述源电极（１０５）和所述栅电极（１１０）之间的区域内，通过与所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构接触来布置。栅电极（１１０）的一部分掩埋在所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构内，并且在所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层与所述绝缘层（１０７）之间的界面的栅电极侧端与所述栅电极（１１０）隔离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及场效应晶体管。
技术介绍
报导了一种结构，其使用氮化硅(SiN)膜来作为在具有氮化铝镓 /氮化镓(AlGaN/GaN)的异质结以减少电流崩塌的异质结场效应晶体 管(HJFET)结构内的钝化膜。在非专利文献1中报导了一种结构，其使用在AlGaN/GaN上布置的 SiNx膜来作为钝化膜，其中掩埋了栅电极。图4是图解了对应于在这样 的文献内所述的结构的场效应晶体管的配置的剖视图。在图4中所示的场效应晶体管1000内，在硅(Si)衬底1001上生长 氮化铝(A1N)成核层1002、 (Al， Ga)N缓冲层1003和GaN缓冲层1004， 并且形成源电极1006和漏电极1007并且进行所述元件的隔离，然后形 成SiNx绝缘膜1008，并且进行干蚀刻过程以去除所述SiNx绝缘膜的一 部分，并且进一步掩埋栅电极1009以形成器件。题目为"Material, Process, and Device Development of GaN-Based HFETs on Silicon Substrate"，由包括J. W. Johnson的15个作者撰写， Electrochemica本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其包括：　Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构，其包含异质结；　彼此相间隔的源电极和漏电极，其形成在所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构上；　栅电极，其布置在所述源电极和所述漏电极之间；以及　覆盖层，其提供在所述栅电极和所述漏电极之间的区域内或者在所述源电极和所述栅电极之间的区域内的所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构之上并且与其接触，　其中，所述栅电极的一部分掩埋在所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层结构内，并且　其中，所述Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层与所述覆盖层的界面的栅电极一侧的端部与所述栅电极相间隔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中山达峰，安藤裕二，宫本广信，冈本康宏，井上隆，大田一树，村濑康裕，黑田尚孝，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]