场效应晶体管制造技术

提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含栅电极（１５）、源电极（１３）、漏电极（１４）和沟道层（１１），以通过向栅电极（１５）施加电压控制在源电极（１３）和漏电极（１４）之间流动的电流。沟道层（１１）由包含Ｉｎ和Ｓｉ并且具有不小于０．０５且不大于０．４０的由Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｓｉ）表示的成分比的非晶氧化物构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及场效应晶体管，特别是涉及用于LCD和有机EL显示器的开关元件的场 效应晶体管。
技术介绍
场效应晶体管(FET)包含栅电极、源电极和漏电极。 场效应晶体管是向栅电极施加电压以控制流过沟道层的电流并控制源电极和漏 电极之间的电流的电子有源元件。特别地，以在由陶瓷、玻璃和塑料等制成的绝缘衬底上进 行成膜的薄膜为沟道层的FET被称为薄膜晶体管(TFT)。 薄膜技术被应用于上述的TFT，因此，有利地很容易在具有比较大的面积的衬底上 形成该TFT，并且该TFT被广泛用作诸如液晶显示元件的平板显示元件的驱动元件。 S卩，有源液晶显示元件(ALCD)利用在玻璃衬底上制造的TFT切换各单个图像像 素的0N/0FF。期望利用TFT的像素的电流驱动将来对于高性能有机LED显示器(OLED)有 效。此外，已实现另一高性能液晶显示器，其具有在图像周边的衬底上形成的具有驱动和控 制整个图像功能的周边电路。 使用最广泛的TFT包含多晶硅膜或非晶硅膜作为沟道层材料。 为了驱动像素，对于实际使用已实现了非晶硅TFT，对于驱动和控制整个图像，对于实际使用已实现了高性能多晶硅TFT。 但是，由于器件制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含栅电极、源电极、漏电极和沟道层，以通过向栅电极施加电压控制在源电极和漏电极之间流动的电流，其特征在于，形成沟道层的非晶氧化物由包含Ｉｎ和Ｓｉ并且具有不小于０．０５且不大于０．４０的由Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｓｉ）表示的成分比的非晶氧化物构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎达哉，板垣奈穗，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]