场效应晶体管制造技术

优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开／关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板（１）上的绝缘体层（３），被绝缘体层（３）隔开的栅电极（２）和有机半导体层（４），如此布置使之与有机半导体层（４）接触的源电极（５）和漏电极（６），其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε１（％）大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε２（％）。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开／关比。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种采用有机半导体的场效应晶体管。
技术介绍
如双极性晶体管一样，场效应晶体管也广泛地用作重要的开关或放大元 件。场效应晶体管具有这样的结构，其中在半导体材料上布置源电极和漏电 极，并通过绝缘体层布置栅电极。场效应晶体管的工作特性由所用半导体的 载流子迁移率p,绝缘体层的电导率cj和电容Ci，及元件的结构(源电极和 漏电极之间的距离L及宽度W、绝缘体层的厚度d等)。就其中的半导体材 料的特性而言，具有高迁移率(p)的半导体材料具有良好的特性。目前，硅广泛地用作这种半导体材料。在制备过程中，以硅为代表的无 机半导体需要在至少300。C的高温下处理，因而难于采用塑料基板或薄膜作 为基材，而且具有制备中需要大量能量的缺点。此外，其要求真空元件制备 工艺，由此需要昂贵的生产线设备，进而造成高成本的缺点。但是，采用有机半导体的晶体管在大多数情况下可以通过比无机半导体 低的工艺温度来制备，因而可以采用塑料基板或薄膜作为基材，并且可以制 备重量轻且很少断裂的元件。而且，在某些情况下还可以采用印刷法或涂布 溶液法制备元件，并且可以低成本制备具有大面积的元件。此外，材料品种 丰富，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，包括绝缘体层，被绝缘体层隔开的栅电极和有机半导体层，如此布置使之与有机半导体层接触的源电极和漏电极，及包含聚合物的支撑性基板，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε１（％）大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε２（％），且在支撑性基板屈服点的伸长率ε２（％）至少为３．１（％）。

【技术特征摘要】
JP 2002-7-31 223021/021.一种场效应晶体管，包括绝缘体层，被绝缘体层隔开的栅电极和有机半导体层，如此布置使之与有机半导体层接触的源电极和漏电极，及包含聚合物的支撑性基板，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)，且在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)至少为3.1(％)。2. 根据权利要求1的场效应晶体管，其中在绝缘体层屈服点的伸长率 sl(。/。)与在支撑性基板屈服点的伸长率s2(。/。)的比值(sl/s2)至多为1.9。3. 根据权利要求1或2的场效应晶体管，其中所述绝缘体层的厚度为 0.1 4拜。4. 根据权利要求1 3中任一项的场效应晶体管，其中所述支撑性基板 的厚度为0.01~2 mm。5. 根据权利要求1 4中任一项的场效应晶体管，其中所述栅电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：小桥昌浩，半田敬信，荒牧晋司，酒井良正，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]