含有高分子半导体的电子装置制造方法及图纸

一种含有式（Ⅰ）的高分子半导体的电子装置，其中Ｘ独立地选自Ｓ、Ｓｅ、Ｏ和ＮＲ，其中Ｒ独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和－ＣＮ；Ａｒ独立地为共轭二价部分；ａ为１至约１０的整数；并且ｎ为２至约５，０００的整数。该电子装置可为有机薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术在多个实施方案中涉及适于在电子装置例如薄膜晶体管(TFT)中4吏用的组合物和方法。本专利技术还涉及4吏用所述组合物 和方法制备的构件或层，以及含有所述材料的电子装置。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)是现代电子设备包括例如传感器、图像扫 描器和电子显示装置中的基本构件。使用当前主流硅技术的TFT电 路对于某些应用来说成本可能太高，特别是对于大面积的电子装置， 例如其中无需高切换速度的显示器的底板开关电路(例如活性基质 液晶监控器或电视机)。基于硅的TFT电路的高成本主要是由于使 用了资金密集型硅生产设备以及需要在严格控制的环境下进行复杂 的高温、高真空光刻制造方法。通常希望制备不仅具有低得多的生 产成本而且具有吸引人的机械性能例如结构致密、重量轻且柔韧的 TFT。有机薄膜晶体管(OTFT)可适于那些不需要高切换速度或高 密度的应用。TFT通常由一个支承基底、三个电传导电极(栅极、源极和漏 极)、 一个沟道半导体层和一个将栅极与半导体层分开的电绝缘栅 介电层组成。改进已知TFT的性能让人期待。可通过至少三个特性来检测性 能迁移率、开/关电流比以及阈值电压。迁移率以cm2/V.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有半导体层的电子装置，其中所述半导体层含有一种式（Ⅰ）的高分子半导体：　＊＊＊　式（Ⅰ）　其中Ｘ独立地选自Ｓ、Ｓｅ、Ｏ和ＮＲ，其中Ｒ独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和－ＣＮ；　Ａｒ独立地 为共轭二价部分；　ａ为１至约１０的整数；并且　ｎ为２至约５，０００的整数。

【技术特征摘要】
US 2008-8-18 12/1931891.一种含有半导体层的电子装置，其中所述半导体层含有一种式(I)的高分子半导体式(I)其中X独立地选自S、Se、O和NR，其中R独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN；Ar独立地为共轭二价部分；a为1至约10的整数；并且n为2至约5,000的整数。2. —种含有半导体层的电子装置，其中所述半导体层含有一种 式(I)的高分子半导体式(I)其中X独立地选自S、 Se、 O和NR，其中R独立地选自氢、烷 基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN; 每一个Ar独立地选自其中R，独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的 芳基、杂芳基和-CN;a为l至约IO的整数；并且 n为2至约5,000的整数。式(I)'N iR'3. 权利要求1或2的电子装置，其中X独立地选自S和O。4. 权利要求l的电子装置，其中每一个Ar为选自以下的共轭二 价部分及其结合，其中R，独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被 取代的芳基、杂芳基或-CN;并且所述二价部分可被烷基、被取代的 烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基、卤素、-CN或-N02外围取代。5. 权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体具有4.5 eV 或更小、或4.0eV或更小、或3.5eV或更小的LUMO。6. 权利要求1的电子装置，其中所述高分子半导体为i...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y李，
申请(专利权)人：施乐公司，
类型：发明
国别省市：US[]