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一种含有式（Ⅰ）的高分子半导体的电子装置，其中Ｘ独立地选自Ｓ、Ｓｅ、Ｏ和ＮＲ，其中Ｒ独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和－ＣＮ；Ａｒ独立地为共轭二价部分；ａ为１至约１０的整数；并且ｎ为２至约５，０００的整数。该电子...
该专利属于施乐公司所有，仅供学习研究参考，未经过施乐公司授权不得商用。

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