电诱发纳米结构击穿的方法技术

一种方法被提供来形成一器件。该方法提供一绝缘衬底，其包含一源极电极，一漏极电极，及一栅极电极。该方法提供包含金属之碳纳米管束及半导电组分纳米管与该衬底接触。该方法施加一电压至该栅极电极，以耗尽该半导电组分纳米管之载流子，施加一电流经由该纳米管，由一源极电极至一漏极电极，及破裂至少一个金属组分纳米管，以形成一场效应晶体管。该碳纳米管束可以为一多层壁纳米管或一单层壁纳米管索。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米结构，更明确地说，涉及一种电诱发纳米结构击穿的系统与方法。
技术介绍
於分子纳米之领域中，少数材料展现成为纳米管之希望，特别是碳纳米管，其包含直径几埃之中空圆柱石墨。纳米管取决於纳米管之电气特性，可以作成很小之电子装置，例如二极管及晶体管。纳米管对於其尺寸，形状及物理特性均是独特的。结构上，一碳纳米管像碳被卷成为一圆柱之六角晶格。除了於低温展现有趣量子行为外，碳纳米管展现了至少两项重要特性一纳米管可以取决於其空间的螺旋特性(即构象几何)，而为金属或半导体。金属纳米管可以在定电阻率下，承载巨大之电流密度。半导电纳米管可以被电学上切换开及关，而成为场效应晶体管(FET)。此两类型可以共价结合(共享电子)。这些特点使得纳米管成为制作纳米尺寸之半导体电路的绝佳材料。现行研究纳米管之方法系取决於金属及半导电纳米管的随机形成。於现行中并没有已知方法，以可靠地备制具有特定特性之纳米管，更谈不上备制纳米管展现出例如晶体管，二极管等之结行为。同时，这些藉由选择合成或後合成以作纳米管分离之已知方法，也完全未证明出有任何之成功。於此之前，纳米管必须由金属及半导电纳米管之混合中个别分离或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以形成一器件之方法，该方法包含步骤：提供一衬底；提供多个纳米管与该衬底接触；及使用一电流以选择性地破裂一纳米管。

【技术特征摘要】
US 2001-1-3 09/753,8451.一种用以形成一器件之方法，该方法包含步骤提供一衬底；提供多个纳米管与该衬底接触；及使用一电流以选择性地破裂一纳米管。2.如权利要求1所述之方法，其中该衬底是绝缘衬底。3.如权利要求1所述之方法，更包含耗尽一半导电纳米管之多个载流子之步骤。4.如权利要求3所述之方法，其中上述之耗尽一半导电纳米管之多个载流子之步骤更包含施加一电压至衬底上一栅极电极之步骤。5.如权利要求4所述之方法，更包含经由该纳米管，施加该电流由一源极电极至一漏极电极的步骤。6.如权利要求1所述之方法，其中上述之多个纳米管系为单层壁纳米管索或多层壁纳米管，其包含金属及半导电纳米管。7.如权利要求6所述之方法，其中上述之选择性地破裂的步骤包含破裂一外金属纳米管、或破裂至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：P阿沃里斯，P科林斯，R马特尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]