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一种方法被提供来形成一器件。该方法提供一绝缘衬底，其包含一源极电极，一漏极电极，及一栅极电极。该方法提供包含金属之碳纳米管束及半导电组分纳米管与该衬底接触。该方法施加一电压至该栅极电极，以耗尽该半导电组分纳米管之载流子，施加一电流经由该纳米...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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